集成运放中的电流源电路教案分析.ppt

§4.2 集成运放中的电流源电路 * 2、代替大电阻，以提高放大器的性能。 但此电路存在问题： 1、仍有三个电阻，不好集成； 2、温度稳定性仍受UBE的影响。 R2 R3 R1 T3 IC3 IE3 IB3 I1 I2 -VEE 电流源的作用： 1、为各级放大器提供合适的静态工作点； 一、基本电流源电路 1、镜像电流源 输出电流为IC1 ， IC1和IC0呈镜像关系，此电路称为镜像电流源。 IR为基准电流。 IB0 IB1 2IB IC0 IC1 IR R T0 T1 +VCC T0和T1是两只特性完全一样的管子。 从电路可UCE0=UBE0， T0工作在放大状态。 T0和T1 的b-e间电压相等，所以基极电流也相等IB0=IB1=IB， 集电极电流也相等IC0=IC1=IC 。 T IC1 IC0 IR UR（ IR R） UB IB IC1 温度补偿作用： IB0 IB1 2IB IC0 IC1 IR R T0 T1 +VCC 当β2时, 2、比例电流源 晶体管发射结电压与发射极电流的近似关系： IB0 IB1 2IB IC0 IC1 IR R T0 T1 +VCC Re0 Re1 IE0 IE1 如果忽略上 的电压： b e c 则 改变Re0和Re1的阻值，可以改变IC1和IR的比例关系。 基准电流： IB0 IB1 2IB IC0 IC1 IR R T0 T1 +VCC Re0 Re1 IE0 IE1 由于 3、微电流源（将Re0的阻值减小到零） β很大的情况下： 基准电流： （可通过图解法或累试法求解IC1 。） IC1 IB0 IB1 IC0 IR R T0 T1 +VCC Re IE1 IB0+ IB1 如果忽略上 的电压： 二、改进型电流源电路 1、加射极输出器的电流源 　 以上所讲电路，忽略了基极电流对集电极电流的影响，所推导的公式都是在β很大时成立。 在T0的集电极与基极之间加一个射极输出的晶体管T2。 T0 、 T1和T2特性完全相同。 IC1 IB0 IB1 IC0 IR R T0 T1 +VCC Re2 IE2 IB2 T2 由于UBE0 = UBE1，所以IB0 =IB1=IB 。 若β=10， IC1≈0.982 IR。而镜像电流源电路IC1≈0.833IR。实际电路有时也在T0管和T1管的基极与地之间加电阻Re2。 IC1 IB0 IB1 IC0 IR R T0 T1 +VCC Re2 IE2 IB2 T2 由于UBE0 = UBE1，所以IB0 =IB1=IB 。 2、威尔逊电流源 T1管的c-e串联在T2管的发射极，由于c-e间等效电阻非常大，可以高度稳定IC2。 IC2为输出电流。 T0 、 T1和T2特性完全相同， IC0 =IC1=IC 。 R B A IC0 IC1 T0 T1 T2 +VCC 2IB IB2 IR IC2 IE2 若β=10， IC2≈0.984 IR。 IC2受基极电流影响很小。 R B A IC0 IC1 T0 T1 T2 +VCC 2IB IB2 IR IC2 IE2 三、多路电流源电路 IR为基准电流， IC1、IC2和IC3为三路输出电流。 1、基于比例电流源的多路电流源 IC0 IC1 IR R T0 T1 Re0 Re1 IE0 IE1 IC2 T2 Re2 IE2 IC3 T3 Re3 IE3 各管的b-e间电压UBE数值大致相等，所以得到近似关系： IE0确定后，各级只要选择合适的电阻，就可得到所需的电流。 2、多集电极管构成的多路电流源 当基极电流一定时，集电极电流之比等于它们的集电极面积之比。 IC0 IC1 IC2 IB IR R +VCC 3、MOS管多路电流源 由场效应管也可以组成镜像电流源、比例电流源等。 T0～T3均为N沟道增强型MOS管，且开启电压等参数相同。在UGS0= UGS1 = UGS2 = UGS3时，它们的漏极电流ID正比于沟道的宽长比。 T1 T2 T3 T0 R +VDD ID1 ID2 ID3 IR 例题： 求图示电路各管的集电极电流。它们的β均为5，它们b-e间的电压值约为0.7V。 解：先求基准电流，R5上的电流为基准电流。 R4 T10 T11 -VCC 3kΩ （－15V） IC10 IB10＋IB11 R5 39kΩ T12 T13 +VCC （+15V） IC13 IC12 IR T12与T13构成镜像电流源： R4 T10 T11 -VCC 3kΩ （－15V） IC10 IB1