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(1-*) 1.空间电荷区中几乎没有载流子。 2.空间电荷区中内电场阻碍P 中的空穴、N 区 中的电子（都是多子）向对方运动（扩散运动）。 3.P区中的电子和N 区中的空穴（都是少子）， 数量有限，因此由它们形成的电流很小。 注意: (1-*) 1.2.2.2 PN 结的单向导电性 PN 结加上正向电压、正向偏置的意思都是： P 区加正电压、N 区加负电压。 PN 结加上反向电压、反向偏置的意思都是： P区加负电压、N 区加正电压。 1.2.2.2 PN 结的单向导电性 正向偏置 扩散运动 PN结导电 1.2.2.2 PN 结的单向导电性 PN结增宽，阻碍扩散运动，只有微弱的漂移电流形成 反向偏置 漂移运动 PN结截止 1.2.2.2 PN 结的单向导电性 (1-*) PN结外加偏置总结 PN 结具有单向导电性： 1、加正向电压时，PN结处于导通状态，扩散运动 ，正向电流较大。 2、加反向电压时，PN结处于截止状态，漂移运动 ，反向电流很小。 (1-*) 关于耗尽层宽窄变化问题 无外加偏置时 扩散引起耗尽层内的多子复合，使耗尽层加宽，加强内电场。 漂移阻止扩散的进行，使耗尽层变窄，削弱内电场。 加偏置时 正向偏置，削弱内电场，使耗尽层变薄 反向偏置，加强内电场，使耗尽层变厚 (1-*) 无论掺杂浓度高低，内建电场的强度维持在0.6伏左右达到平衡。 因此，掺杂浓度越高，PN结边界离子浓度越高，在0.6伏等值强度约束下，PN结越薄。 (1-*) 小结 二极管的单向导电 二极管的伏安特性 二极管的导电原理 半导体知识 PN结的单向导电特性 二极管就是封装后的PN结 (1-*) 重要概念 1. 载流子：能够导电的电荷 半导体中的两种载流子：自由电子 空穴 两种载流子导电差异 自由电子在晶格中自由移动 空穴运动实质是价电子的填补空穴的运动， 始终在原子的共价键间运动 (1-*) 重要概念 2. 杂质半导体 N(Negative)型:提供自由电子→多子 正偏时的负极 P(Positive)型：提供空穴→多子 正偏时的正极 多子＝掺杂＋本征激发≈掺杂浓度 少子＝本征激发(对温度极其敏感,本征， P、N都存在) (1-*) 重要概念 3. 两种电流 漂移电流：载流子受电场力作用作宏观定向运动形成。(电位差) 扩散电流：载流子因浓度差，作扩散运动形成的电流。(浓度差) 在PN结中，多子参与扩散运动，形成扩散电流，少子受电场力作用形成漂移电流。 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空位。这个空位可能吸引束缚价电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子，并且产生空穴。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 本征半导体中存在两种载流子，空穴和自由电子，如果想增加导电能力，无非两种办法，提高空穴的浓度或者提高自由电子的浓度。 * * * 第一章 半导体器件 (1-*) 第一章 半导体器件 § 1.1 半导体二极管 § 1.2 二极管的单向导电原理 § 1.2.1 半导体的基本知识 § 1.2.2 PN结 § 1.3 特殊二极管 § 1.4 半导体三极管 § 1.5 场效应晶体管 (1-*) §1.1 半导体二极管 P N 一、 二极管的电路符号： ★★★★★* (1-*) 二、伏安特性(★★★★★**) 反向击穿电压 反向饱和电流 导通电压 开启电压 (mA) (μA) 导通压降: 硅管0.7V,锗管0.3V。 死区电压 硅管0.6V,锗管0.2V。 (1-*) 二极管的单向导电性 例1 Multisim 仿真实验 (1-*) 二极管：死区电压=0 .6V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ui uo t t 二极管半波整流 RL ui uo 例2 + - u2正半周时电流通路 u1 u2 T D4 D2 D1 D3 RL uo 例3 二极管全波整流 - + u0 u1 u2