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双气流MOCVD生长GaN装置 MOCVD 英国Thomas Swan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源汽相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表的第三代半导体材料 外延片 为什么有个缺口呢？ 倒角：晶片经过切割后边缘表面有稜角毛刺崩边甚至有裂缝或其它缺陷，边缘表面比较粗糙。为了增加切片边缘表面机械强度、减少颗粒污染，就要将其边缘磨削呈圆弧状或梯形。 光刻ITO 剥离、合金 光刻胶 ITO P-GaN 金电极 衬底 缓冲层 N-GaN MQW 光刻电极 蒸镀电极 ICP刻蚀 外延片 ITO 光刻ITO 甩 胶 前 烘 曝 光 显 影 坚 膜 腐 蚀 ITO氧化铟锡是Indium Tin Oxides的缩写。 　　 作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。因此，喷涂在玻璃，塑料及电子显示屏上后，在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外线、红外线。 掩膜板 光刻ITO 甩胶：将少许光刻胶滴在外延片上，用匀胶台在高速旋转 后形成均匀的胶膜。 前烘：使光刻胶的溶剂挥发，用于改善光刻胶与样品表面的 粘附性。 曝光：用紫外光通过光刻板曝光，曝光的区域发生化学变化。 曝光原理图 手动曝光机 显影后的图形 腐蚀：用36%-38%的盐酸腐蚀ITO 显影：用显影液除去应去掉部分的光刻胶，已获得腐蚀时由 胶膜保护的图形。 后烘：使光刻胶更坚固，避免被保护的地方发生腐蚀 掩膜板 光刻电极 显影后的图形 蒸发 剥离 合金 减薄 减薄：减小衬底厚度，利于切割、散热 激光划片 蒸发原理图 贴膜 白膜：宽度为16cm,粘性随温度的升高增加; 划片 激光打在蓝宝石衬底上，所用激光为紫外光，波长为355nm。 为了更好的把圆片裂开，需要让激光打在管芯轨道的中央位置，调节激光的焦距，使激光聚焦在片子上表面，激光的划痕深度尽量在25-30um。 倒膜 蓝膜：宽度22cm 倒膜时衬底朝上，有电极的一面朝下。 从分选机上卸下来的蓝膜比较小，不便于包装、运输。必须把芯片放在比较大的、美观的东西上面。 倒膜要倒两次，因为芯片工作是在正面，所以正面不应该接触附着物，否则会影响光电特性。 裂 片 设 备 裂片 裂片前我们在片子上贴一层玻璃纸，防止裂片时刀对管芯的破坏。 扩膜 由于LED芯片在划片后依然排列紧密，间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。采用扩膜机对芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。 测试分拣 测试 分拣 VF（正向电压） IR（反向漏电流） WLD（波长） LOP（光输出） * * * LED芯片及其制备 四、LED芯片的制备及应用 主要内容 一、 半导体材料 二、LED芯片组成与分类 三、LED芯片用衬底材料 一、 半导体材料 半导体材料（semiconductor material） 是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。 20世纪初 元素半导体 硅（Si） 锗（Ge） 20世纪50年代 化合物半导体 砷化镓（GaAs） 铟磷（InP） 20世纪90年代 宽禁带化合物半导体 氮化镓（GaN） 碳化硅（SiC） 氧化锌（ZnO） 不是所有的半导体材料都能发光，半导体材料分为直接带隙材料和间接带隙材料，只有直接带隙材料才能发光。 直接带隙材料 电子可在导带带底垂直跃迁到价带带顶，它在导带和价带中具有相同的动量，发光率高。 用于发光的直接带隙材料有GaAs、AlGaAs、InP、InGaAsP等。 间接带隙材料 电子不能在导带带底垂直跃迁到价带带顶，它在导带和价带中的动量不相等，这种间接带隙材料很难发光，即便能发光，效率也很低。 因此必须有另一粒子参与后使动量相等，这个粒子的能量为Ep，动量为kp。 GaP LED芯片又称LED芯片，英文叫做CHIP，它是制作LED器件的主要材料，由磷化鎵（GaP），鎵铝砷（GaAlAs），或砷化鎵（GaAs），氮化鎵（GaN）等材质组成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。 二、LED芯片组成与分类 芯片按发光亮度分类可分为： ☆ 一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、 G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/GaP 635nm )等； ☆ 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度：