模拟一单元分析报告.ppt

电子产品分析与设计 自动化教研室 电子技术分类 模拟电子:模拟信号.分析信号的产生和处理过程. 数字电子:数字信号.分析输入和输出的逻辑功能. 任 务一 观察二极管的导电特性 用所发元件组成下列电路，用万用表测量二极管两端电压 任 务二 观察发光二极管的特性 用所发元件组成下列电路，用万用表测量发光二极管两端电压 一 、半导体基础知识 (3) PN 结加反向电压 2.伏安特性曲线 学生练习：用万用表测量各二极管的正反向电阻，并判别极性 4.主要参数 作业：看书二极管部分 预习三极管部分 辽宁冶金职业技术学院 辽宁冶金职业技术学院 考核方式： 平时过程考核占70％： 小组内背对背自评 小组间互评 小组实际成效 期末终结考核占30％： 考试 两种信号 模拟信号 （Analog signal）:指幅度的取值是连续的（幅值可由无限个数值表示）。声音、温度、压力转化的电信号。 数字信号 （Digital signal）：指幅度的取值是离散的，幅值表示被限制在有限个数值之内。如计算机处理的二进制信号等。 1904年 电子管问世 1947年 晶体管诞生 1958年集成电路研制成功 电子管、晶体管、集成电路比较 电子技术的发展 “无孔不入”，应用广泛；从电子管→半导体管→集成电路，半导体器件发展迅速。 VD VD 二极管两端电压 二极管状态 反向 正向 VD VD VD VD 二极管两端电压 二极管状态 反向 正向 VD VD 1．半导体 导电能力介于导体与绝缘体之间的一种物质。如硅(Si)或锗(Ge)半导体。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 本征半导体的电子空穴对 * 【结论】纯净半导体也称为本征半导体 1．本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少； 2．半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电； 3．本征半导体导电能力弱，并与温度有关。 2.半导体的导电特性： 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 3.杂质半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的其它适当元素后所形成的半导体 根据掺杂的不同，杂质半导体分为 N型导体 P型导体 （1）N型半导体 掺入五价杂质元素（如磷、砷）的杂质半导体 杂质半导体的示意图 + + + + + + + + + + + + N型半导体 多子—电子 少子—空穴 － － － － － － － － － － － － P型半导体 多子—空穴 少子—电子 少子浓度——与温度有关 多子浓度——与温度无关 * 【结论】掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多，导电能力越强。少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。 无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 2. 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 3. 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c 4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流 主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） b a 4.PN 结及其单向导电性 （1）PN结的形成 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 动画演示 PN结的单向导电性 PN 结变窄 外电场 IF 内电场被削弱，多子的扩散加强，形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 内电场 P N － － － － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – PN 结变宽 外电场 内电场被加强，少子的漂移加强，由于少子数量很少，形成很小的反向电流。 IR 温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。 – + PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 内电场 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － PN结加正向电压时，具