信息材料基础第二章微电子材料与器件解析.ppt

2.3.4 钝化层材料 钝化是在不影响集成电路性能的情况下，在芯片表面覆盖一层绝缘介质薄膜，减少外界环境对集成电路的影响，使集成电路可以长期安全有效地工作。 双极型集成电路 SiO2材料 MOS集成电路 PSG（磷硅玻璃）/SiO2双层结构 优：阻挡Na＋污染，缺：腐蚀金属引线 Si3N4材料 优：解决污染和水气问题， 缺：应力大 SiOxNy复合材料 优：致密性好，应力小 2.3.5 封装材料 为了抵御外部的侵扰（包括极端温度、振动、腐蚀、污染等）保证集成电路元器件的正常工作，同时防止对其它元器件和人体的伤害，需要对元器件进行封装。 封装材料 塑料封装： 成本低 金属封装： 密封性好、电磁屏蔽，成本高 陶瓷封装： 导热性好，绝缘性好，成本低 玻璃封装： 小型电路的扁平封装 Thanks！ * 需两个动画 * * ( 美国 1997 ~ 2012 年半导体技术发展规划 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012 比特/ 芯片 256M 1 G 4 G 16 G 64 G 256 G 特征尺寸（ μm） 0.25 0.18 0.15 0.13 0.1 0.07 0.05 晶片直径（mm） 200 300 300 300 300 450 450 我国国防科工委对世界硅微电子技术发展的预测 2000 2010 2020 集成度 1 G 64 G 256 G 特征尺寸（ μm） 0.18 0.10 ~ 0.07 0.05 ~ 0.01 晶片直径（mm） 300 400 450 可以看出，专家们认为，至少在未来 10 年内，IC 的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度每 3 年乘以 4 ，而线宽则是每 6年下降一半。 硅技术过去一直是，而且在未来的一段时期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器件与集成电路占了2000多亿美元的半导体市场的 95% 以上。 硅微电子技术发展的几个趋势 1、单片系统集成（SOC） 2、整硅片集成（WSI） 3、半定制电路的设计方法 4、微电子机械系统（MEMS） 5、真空微电子技术 硅技术以外的半导体微电子技术发展方向 1、GaAs 技术 电子漂移速度快（硅的5. 7倍），抗辐射能力强，因此在武器系统中有重要作用。 2、GeSi/Si 异质结技术 与目前已极为成熟的硅工艺有很好的兼容性，但可制成比硅器件与集成电路频率更高，性能更好的器件与集成电路，被誉为第二代硅技术。 3、宽禁带材料及器件技术 主要有 SiC 与 GaN 材料，主要优点是工作温度可高达 300 摄氏度以上，因此在军用系统中有重要的应用价值。 2.2.8 集成电路发展面临的问题 1、基本限制 如热力学限制。由于热扰动的影响，对数字逻辑系统，开关能量至少应满足 ES 4kT = 1.65×10 -20 J 。当沟道长度为 0.1 ?m 时，开关能量约为 5×10 -18 J。在亚微米范围，从热力学的角度暂时不会遇到麻烦。 又如加工尺度限制，显然原子尺寸是最小可加工单位，但现在的最小加工单位远远大于这个数值。 2、器件与工艺限制 3、材料限制 硅材料较低的迁移率将是影响 IC 发展的一个重要障碍。 4、其他限制 包括电路限制、测试限制、互连限制、管脚数量限制、散热限制、内部寄生耦合限制等。 2.2.9 集成电路基本工艺技术 器件设计 芯片制造 封装 电路设计 材料制备 Crystal Growth Slicing Graphite Heater Si Melt Si Crystal Polishing Wafering High Temp. Annealing Furnace Annealed Wafer Defect Free Surface by Annealing (Surfac