《电子电路基础》(吴)第二讲分析报告.ppt

  半导体三极管有两大类型 1.双极型半导体三极管（三极管） 1.2.1 三极管的结构及工作原理 1.2.2 三极管的基本特性 1.2.3 三极管的主要参数及电路模型 1.2.1三极管的结构及工作原理 双极型半导体三极管的结构示意图 图 02.01 两种极性的双极型三极管 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 工艺要求： 1.发射区的掺杂浓度大， 2.集电区掺杂浓度低，且集电结面积大， 3.基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 1. 三极管的电流分配与控制 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。 若在放大工作状态： 发射结加正向电压，集电结加反向电压。 IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ICNIBN 2. 三极管的电流关系 (1)三种组态 (2)三极管的电流放大系数 定义: 1.2.2 三极管的基本特性 iB——输入电流 uBE——输入电压 iC——输出电流 uCE——输出电压 因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不完全相同。 uCE=const(常数)。 A. uCE=0V，相当于发射结的正向特性曲线 2.输出特性曲线 B. 当uCE稍增大时， 如uCE 1 V， 因为uBE=0.7 V uCB= uCE- uBE 0.3 V 集电区收集电子的能力很弱 iC主要由uCE决定。 C. 当uCE继续增大， 如uCE ≥1 V 因 uBE ＝0.7 V uCB= uCE- uBE 0.3 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后uCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与uCE轴基本平行的 区域 。（动画2-2） 输出特性曲线可以分为三个区域: 3.三极管的开关特性 (1)开关作用 截止状态 IB＝0，IC＝0，UCE＝VCC IC＝ICS，UCE＝UCES＝0 饱和状态 (2)三极管的开关时间 下降时间tf 1.2.3 三极管的主要参数及电路模型 半导体三极管的参数分为三大类: 直流参数 交流参数 极限参数 在放大区基本不变 B.共基极直流电流放大系数 ②极间反向电流 A. 集电极基极间反向饱和电流ICBO ICBO的下标CB代表集电极和基极，O是 Open的字头，代表第三个电极E开路。 集电结的反向饱和电流。 B. 共基极交流电流放大系数α ②特征频率fT 三极管的?值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的?将会下降。 当?下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。 (3)极限参数 ①集电极最大允许电流ICM 当集电极电流增加时，? 就要下降，当?值下降到线性放大区?值的70～30％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 ②集电极最大允许功率损耗PCM 集电极电流通过集电结时所产生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE， 因发射结正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集电结上。在计算时往往用UCE取代UCB。 ③反向击穿电压 反向击穿电压表示三极管电极间承受反向电压的能力 a.U(BR)CBO——发射极开路时的集电结击穿电压。 下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB 代表集电极和基极，O代表第三个电极E开路。 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区 三极管的物理结构如图所示。 附录：半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B