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一、 k = n/2a (n = 0, ±1, ±2, …) 位置，能量出现不连续，形成一系列允带和禁带。 二、允带出现在以下几个布里渊区中： 第一布里渊区 -1/2a k 1/2a 第二布里渊区 -1/a k 1/2a， 1/2a k 1/a 第三布里渊区 -3/2a k 1/a， 1/a k 3/2a ... 半导体物理 Semiconductor Physics 布里渊区与能带 三、禁带出现在k = n/2a处，即出现在布里渊区边界上 四、考虑能带结构时，只需考虑 -1/2a k 1/2a 的区域就够了，也就是第一布里渊区，常称这一区域为简约布里渊区，这一区域内的波矢为简约波矢。 半导体物理 Semiconductor Physics 布里渊区与能带 半导体物理 Semiconductor Physics 五、E(k)也是k的周期性函数，周期为1/a，即 E(k) = E(k + n/a) k 和k + n/a表示相同的状态。 六、E为k的多值函数。因此，在说明E(k)和k的关系时，必须用En(k)标明是第几个能带。 半导体物理 Semiconductor Physics 七、与自由电子E-k关系对比： 晶体中 自由电子 E是k的多值函数 E是k的单值函数 能量不连续 能量连续 周期性 随k绝对值单调增大 相应E值与自由电子相近 半导体物理 Semiconductor Physics 八、对有限的晶体，根据周期性边界条件，波矢k只能取分立值。 对边长为L的立方晶体，波矢k的三个分量分别为 波矢k具有量子数的作用，它描述晶体中电子共有化运动的量子状态 半导体物理 Semiconductor Physics 首先做出晶体的倒格子，任选一倒格点为原点，由原点到最近及次近的倒格点引倒格矢，然后作倒格矢的垂直平分面，这些面就是布里渊区的边界，在这些边界上能量发生不连续，这些面所围成的最小多面体就是第一布里渊区。 三维晶格布里渊区的做法 半导体物理 Semiconductor Physics 例：面心立方晶格的第一布里渊区 首先，面心立方的倒格子是体心立方。选体心格点为原点，由原点向最近的倒格点也就是顶角八个倒格点引倒格矢，再做其垂直平分面，构成一个八面体。然后再由原点向次近邻的倒格点，也就是相邻六个体心立方的体心，引倒格矢，再做其垂直平分面，将八面体截去六个角，构成一个十四面体。这个十四面体就是面心立方晶体的第一布里渊区。 半导体物理 Semiconductor Physics 硅、锗等半导体都属于金刚石结构，它们的固体物理原胞和面心立方相同，两者有相同的基矢，所以它们有相同的倒格子和布里渊区。 III-V族化合物大多属于闪锌矿结构，它们的布里渊区也和面心立方相同。 半导体物理 Semiconductor Physics 金刚石型结构的第一布里渊区 半导体物理 Semiconductor Physics 导体、半导体、绝缘体的能带 固体按其导电性分为导体、半导体和绝缘体的机理，可以根据电子填充能带的情况来说明。 固体能够导电，是固体中的电子在外电场作用下定向运动的结果。对于满带，其中的能级已为电子所占满，在外电场下，满带中的电子并不形成电流，对导电没有贡献。 半导体物理 Semiconductor Physic