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* 这里使用的是 * * * 部分地址译码 同一物理存储器占用两组地址： F0000H~F1FFFH B0000H~B1FFFH A18不参与译码。 A19 A17 A16 A15 A14 A13 ≥1 到 6264 CS1 应用举例 选择使用74LS138译码器构成译码电路。 Y0# G1 Y1# G2A Y2# G2B Y3# Y4# A Y5# B Y6# C Y7# 片选信号输出 译码允许信号 地址信号 （接到不同的存储体上） 74LS138逻辑图 74LS138的真值表：（注意：输出低电平有效） 当译码允许信号有效时，Yi是输入A、B、C的函数，即 Y=f(A,B,C) 1 1 1 1 1 1 1 1 X X X 其 他 值 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 C B A G1 G2A G2B 应用举例： 下图中A18不参与译码，故6264的地址范围为： 38000H~39FFFH 78000H~79FFFH D0~D7 A0 A12 ? ? ? WE OE CS1 CS2 ? ? ? A0 A12 MEMW MEMR D0~D7 G1 G2A G2B C B A A19 A14 A13 A17 A16 A15 +5V Y0 6264 练习一： 全地址译码，故地址范围为 F0000H---F1FFFH. 练习二： 全地址译码，地址范围为 F8000H---F9FFFH. 练习三： 这里是部分译码： AE000H~AFFFFH BE000H~BFFFFH EE000H~EFFFFH FE000H~FFFFFH 采用部分译码。 CE000H~CFFFFH DE000H~DFFFFH EE000H~DFFFFH FE000H~FFFFFH 练习四： 二、动态随机存储器DRAM DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失，称为动态刷新，所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。 刷新时间隔一般为几微秒～几毫秒。 DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。 DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。 SDRAM：它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新，即可与CPU的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大可达150MHz，存取时间约为5～10ns，最大数据率为150MB/s，是当前微机中流行的标准内存类型。 RDRAM：是由Rambus公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达1.6GB/s。 DDR DRAM：是对SDRAM的改进，它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据，其数据率可达200-800 MB/s。主要应用在主板和高速显示卡上。 常见DRAM的种类： 1）可读可写，非破坏性读出，写入时覆盖原内容。 2）随机存取，存取任一单元所需的时间相同。 3）易失性（或挥发性）。当断电后，存储器中的内容立即消失。 RAM的3个特性： 5.2.3 存储器扩展技术 位扩展——扩展每个存储单元的位数 字扩展——扩展存储单元的个数 字位扩展——二者的综合 用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围，任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 位扩展 存储器的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 当构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元的字长时，就要进行位扩展，使每个单元的字长满足要求。 字节数 字长 位扩展例： 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 2164A：64Kx1b，需8片构成64Kx8b（64KB） LS138 A8~A19 2164A 2164A 2164A DB AB D0