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课题： ZnO / ZnS 核壳结构纳米线阵列的制备与光电化学性能的研究 调查人:吴小祥 调查日期：2014年5月 调查方式：网络搜集信息 一：知识收集 ①中国知网 ZnO和ZnS都是II-VI族宽带隙半导体材料，具有良好的光电性能，被广泛地应用于发光二极管、荧光显示和光催化等领域。随着纳米技术的迅猛发展，成功地合成出了ZnO以及ZnS的纳米线、纳米棒、纳米带和纳米管以及核壳结构等独特的纳米结构。制备成的纳米结构，具有大的比表面积、发光波长可调等不同于体材的优良性质，引起了人们的广泛关注。这两种半导体材料都存在两种晶体结构：闪锌矿结构和纤锌矿结构。低温下制备的ZnO具有稳定的六角纤锌矿结构，而ZnS则具有稳定的立方闪锌矿结构。纤锌矿ZnO中存在点缺陷——氧空位和锌填隙，使得ZnO通常存在中心在570nm左右的可见区发光,另外还可得到自由激子相关的中心在380nm的紫外发光。ZnS的发光性质比较复杂，通常存在三个发光带——近帯边350nm的紫外光、S空位电子与价带空穴复合的蓝光和S空位电子与S填隙空穴复合的绿光。ZnS的发光对晶体结构和界面（表面）的微小变化很敏感，蓝光和绿光常常存在此消彼长的关系，这取决于S填隙的作用，它是绿光发光中空穴能级的提供者，对绿光发光有促进作用。另外，掺杂的ZnS，尤其是纳米尺寸的晶体ZnS:Mn，是性能优良的黄橙光荧光材料，除了被用作荧光粉发光，还常常被