新型功能材料及制备资料.ppt

目前国内外主要采用Al2O3陶瓷作为集成电路基板材料。近年来，随着半导体元件向高性能、高密度、小型化、低成本方向发展，迫切希望导热系数大的陶瓷基板。 金刚石和立方氮化硼(BN)作为高导热材料用于半导体基片和封装，优于其他材料，但价格高，大量生产还有若干技术问题有待解决。 SiC和BeO也是较理想的材料，前者烧结困难，后者在生产过程中产生毒害限制了它的发展。 采用少量BeO作为助烧结剂，用热压烧结法可制成高导热系数SiC基板，其导热系数为金属铝的1.2倍。 氮化铝(AlN)作为高导热材料具有巨大的潜力，可以取代BeO 、 SiC ，甚至部分取代Al2O3。因为AIN陶瓷导热系数虽比SiC相BeO陶瓷低，但比Al2O3陶瓷约而8 ～ 10倍，体积电阻率、击穿强度、介电损耗等电气性能可与Al2O3陶瓷媲美，且介电常数较低，机械强度较高，热膨胀系数为4.4×10-6／℃，接近于Si，可进行多层布线，是很有发展前途的基板材料。 电容器陶瓷 陶瓷电容器以其体积小、容量大、结构简单、高频特性优良、品种繁多、价格低廉、便于大批量生产而广泛应用于家用电器、通信设备、工业仪器、仪表等领域。 电容器陶瓷材料按性质可分为四大类。 第一类为非铁电电容器陶瓷(