N型硅太阳电池总结技术方案.docVIP

1 N型背结背接触晶体硅电池高转化效率机理?首先，与掺硼(B)的P型晶体硅材料相比，掺磷(P)的N型晶体硅材料具有如下优势：（1）N型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。相同电阻率的N型硅片的少数载流子寿命比P型硅片的高（2）选用掺磷的N型硅材料形成的电池则几乎没有光致衰减效应的存在。因此，N型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。（3）N型材料的少子空穴的表面复合速率低于P型材料中电子的表面复合速率。因此，采用N型晶体硅材料少子空穴的复合将远低于P型材料中的少子电子的复合。（4）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片。对于Fe ,Cr,Co,W,Cu,Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片高。而对于Au却是相反的。但是对于现代晶体制备工艺而言，Au污杂已不再是主要问题。(5)某些N型电池的生产工艺可以在200度以下进行，符合低成本、高产量、高效率的要求。(6) N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。上述6大优势是N型晶体硅电池获得高转化效率的前提。  按发射极的成分和形成方式区分，n型太阳电池可以分为铝发射极、硼发射极和非晶硅／晶体硅异质结太阳电池3类。按发射极的位置区分， n型太阳电池又可以分为前发射极和背发射极两类。以下将对铝背发射极、硼前发射极和硼背发射极太阳电池的研究