变频器技术及应用1-3章(田慧玲)要点详解.ppt

图3-4 单相逆变器输出波形 3.2.2 SPWM调制技术 PWM技术源于无线电中的载波调制技术。在交流异步电动机变频调速中，通常采用正弦波脉冲宽度调制(Sinusoidal PWM)技术，简称SPWM技术。在PWM技术中，如果脉冲宽度和占空比的大小按正弦规律分布，则为正弦波脉冲宽度调制(SPWM)。从脉宽调制的极性来看，有单极性调制和双极性调制两种方法。 a．单极性调制原理 三角波单极性调制SPWM原理如图3-5所示。以正弦波usi作为参考调制信号，用三角波uti作为载波信号。如果正弦波信号和三角波信号都是正极性信号，称为单极性SPWM调制。图3-5中，在比较器A的“+”端输入正弦波参考调制信号电压usi在A的“一”端输入三角波载频信号电压Utio当Usi Uti时，电压比较器A输出高电平。当Usi Uti时，电压比较器A输出低电平。在电压比较器A输出端就得到了SPWM电压脉冲序列。在SPWM脉冲序列中，各脉冲的幅度相等，而脉冲宽度不等。 图3-5 三角波单极性调制SPWM原理 图3-6所示为单极性调制波形。由图3-6可知，脉冲宽度也就是开关器件的导通、关断时间，它取决于两个比较电压usi和uti的交叉点及交叉点之间的距离（时间）。在这个序列脉冲中，占空比是按正弦规律变化的。所以脉冲序列的瞬时电压平均值也是正弦规律。只有采用计算机技 术，才能在较短的时间内，计算出正弦波与三角波的所有的交叉点，并且使逆变器的功率开关器件按各交叉点所规定的时刻有序导通或关断。 c）具有自动保护功能，以便在故障发生时快速自动切除驱动信号，避免损坏GTR。 d）电路尽可能简单，工作稳定可靠，抗干扰能力强 图2-18 理想的基极驱动电流波形 2．GTR驱动电路 GTR驱动电路的形式很多，下面分别介绍几种，以供参考。 a）简单的双电源驱动电路如图2-19所示 图2-19 双电源驱动电路 3．GTR的应用 GTR的应用已发展到晶闸管领域，与一般晶闸管比较，GTR有以下应用特点： a）具有自关断能力 b）能在较高频率下工作 下面介绍几个简单的例子来说明GTR的应用。 （a）直流传动 GTR在直流传动系统中的功能是直流电压变换，即斩波调压，如图2-20所示。所谓斩波调压，是利用电力电子开关器件将直流电变成另一固定或大小可调的直流电，有时又称此为直流变换或开关型 DC/DC变换电路。 图中VD1～VD6构成一个三相桥式整流电路，获得一个稳定的直流电压。VD为续流二极管，作用是在GTR关断时为直流电机提供电流，保证直流电机的电枢电流连续。通过改变GTR的基极输入脉冲的占空比来控制GTR的导通与关断时间，在直流电机上就可获得电压可调的直流电。 图2-20 直流斩波调速 2.4 功率场效晶体管( MOSFET) 功率场效应晶体管，有时也被称为功率MOSFET。它是用栅极电压来控制漏极电流的电 压控制型器件，具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高、驱动电路简单，需要的驱动功率小，它是采用场效应机理控制器件导通或关断的。 2.4.1 功率MOSFET的基本结构 MOSFT的种类和结构繁多，按导电流道可分为P沟道和N沟道。 图2-21a所示为N沟道MOSFET的基本结构示意图，功率MOSFET的电气图形符号如图2-21b所示，3个引线端分别称为源极S、漏极D、栅板G。 电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电，从源极S流向漏极 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 图2-21 MOSFET的基本结构和电气图形符号 MOSFET主要有以下特点： a. 开关频率高 b. 输入阻抗高 c. 驱动电路简单 2.4.2 电力场效晶体管的主要参数 a．漏源击穿电压UDS b．栅源击穿电压UGS c．漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 2.4.3使用功率场效晶体管的注意事项 a. MOSFET器件的存放和运输需要有防静电装置。 b. MOSFET的栅极绝对不能开路工作 。 c. 对于电感性负载，在起动和停止时，由于产生感生电压，会发生过电压或过电流而损坏MOSFET，因此要有防护措施 2.5 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅双极型晶体管,简称 IGBT，它将MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有输入阻抗高、速度快，热稳定性好和驱动电路简单的特点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大等优点，目前，IGBT已经成为中小功率电力电子设备或装置的主导器件。 IGBT