模拟数字电力电子技术第1章基础知识新要点.pptVIP

第一章 基础知识 三、 整流滤波电路 ① 截止失真：当放大电路的静态工作点Q 选取比较低时，IBQ较小，输入信号的负半周进入截止区而造成的失真称为截止失真。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 (1) 输入特性曲线 是指一定集电极和发射极电压 下，三极管的基极电流 与发射结电压 之间的关系曲线。如右图示 (2) 输出特性曲线 是指一定基极电流 下，三极管的集电极电流 与集电结电压 之间的关系曲线 3. 三极管的共射极特性曲线 第四节 半导体三极管及基本放大电路 一般把三极管的输出特性分为3个工作区域，分别介绍。 ① 截止区 三极管工作在截止状态时，具有以下几个特点： （a）发射结和集电结均反向偏置； （b）若不计穿透电流 ，有 、 近似为0； （c）三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管 相当于一个开关断开。 ② 放大区 输出特性曲线近似平坦的区域称为放大区。三极管工作在放大状态时，具有以下特点： （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；对NPN型的三极管，有电位关系：UCUBUE； （b）基极电流 微小的变化会引起集电极电流 较大的变化，有电流关系式： 第四节 半导体三极管及基本放大电路 ③ 饱和区 三极管工作在饱和状态时具有如下特点： （a）三极管的发射结和集电结均正向偏置； （b）三极管的电流放大能力下降，通常有ICβIB； （c）UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和 压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为 0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V； （d）三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似 于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 4. 三极管的主要参数 （2）极间反向电流 ① 集电极基极间的反向饱和电流 ② 集电极发射极间的穿透电流 (1）共发射极电流放大系数β 是指从基极输入信号，从集电极输出信号， 此种接法（共发射极）下的电流放大系数。 （3）极限参数 ① 集电极最大允许电流 ② 集电极最大允许功率损耗PCM ③ 基极开路反向击穿电压BUCEO （4）特征频率 , 下降到1时的频率 第四节 半导体三极管及基本放大电路 二、基本共射极放大电路 （1）三极管 （2）隔直耦合电容C1和C2 （3）基极回路电源VBB和 基极偏置电阻Rb （4）集电极电源VCC （5）集电极电阻Rc 1.电路中各元件的作用 2.工作原理 要求：一不失真；二要放大 第四节 半导体三极管及基本放大电路 3.静态工作点的设置 静态工作点（ ）是指当输入信号为 零时，三极管的基极电流 、集电极电流 、管压降 和发射结压降 ，通常 作为已知条件。 大写字母，大写下标表示直流量，如 、 等。 小写字母，小写下标表示交流量，如 、 等。 小写字母，大写下标表示瞬时量，如 、 等。 大写字母，小写下标表示有效值，如 、 等。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 三、放大电路的分析方法 任务：定量确定放大电路的静态工作点及主要动态参数 1. 放大电路的直流通路和交流通路 第四节 半导体三极管及基本放大电路 直流通路： 是指静态（ ）时，电路 中只有直流量流过的通路。 画直流通路有两个要点： ①电容视为开路 ②电感视为短路 估算电路的静态工作点Q时必须依据直流通路。 交流通路： 指静态（ ）时，电路 中交流分量流过的通路。 画直流通路有两个要点： ①耦合电容视为短路 ②直流电压源（内阻很小，忽略不计）视为短路。 第四节 半导体三极管及基本放大电路 2. 放大电路静态工作点的分析 （1）估算法 共射极放大电路 直流通路 关键是 按方程 作一条直流负载线 第四节 半导体三极管及基本放大电路 （2）图解法 ①令 求得： 即直线与纵轴的交点 ②令 ，求得 ，即直线与纵轴的交点 第四节 半导体三极管及基本放大电路 3. 三极管简化的微变等效电路 输入正弦交流信号 为正弦信号 为正弦信号 三极管的输出回路可以等效为一个阻值