第一章电子电路重点解析.ppt

电子电路基础 教材：电子技术基础 吴利斌主编 参考教材：电子技术基础 华成英 阎石主编 绪论 由于物理学的重大突破，电子技术在20世纪取得了惊人的进步，特别是近40年来，微电子技术和其他高科技术的飞速发展，致使工、农、科技和国防等领域进入信息时代，作为其发展基础之一的电子技术必将以更快的速度前进。 本门课程作为电子技术基础的一门课程（模拟和数字两部分），将对目前一些最常用的基本电子电路的分析与设计方法进行讨论。 本课程的主要内容简介： 1、模拟电路基础（半导体器件：是本课程基础部分，主要包括半导体物理基础知识，二极管、晶体三极管工作原理及应用原理；基本放大电路：是本课程重点之一，主要包括放大器的静态分析、动态分析及性能指标，单管放大电路，组合放大电路，差分放大电路，电流源电路及应用，集成运算放大电路。） 2、功率放大器 3、集成运算放大器及其应用电路，是课程又一个重点和难点，主要包括集成运算放大器应用电路的组成原理（加减乘除比例对数指数开平方等各类算术运算、有源滤波、精密测量放大器和仪器放大器、电流传输器等），集成运算放大器性能参数及其对电路的影响，集成电压比较器。 4、直流稳压电源 5、数字电路基础，包括数字电路的基本概念、数字信号的主要参数、数字电路中的二极管与三极管、基本逻辑运算等） 6、逻辑门电路 7、组合逻辑电路 8、触发器 9、时序逻辑电路 10、脉冲波型的产生与整形 主要内容： 1.半导体的基本知识 2.半导体二极管及其基本特性 3.特殊二极管 4.二极管的基本应用电路 5.二极管整流及滤波电路 1.1 半导体的基本知识 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物体，它的电阻率在（10-3--109） ? .cm 范围内，主要有硅（主要材料）、锗、砷化镓（高频高速器件）等。 一、本征半导体 纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 1、本征半导体的晶体结构： 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵 图1.1.1 本征半导体结构示意图 在热力学温度0K时和没有外界影响条件下，价电子束缚在共价键中，不能自由移动，不是自由电子，是良好的绝缘体。 在温度升高或受到光线照射时，共价键中的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，在共价键中留下相同数量的空穴（可以看作带正电的离子）这种现象称为本征激发。 空穴形成后，邻近共价键中的价电子受它的吸引作用很容易跳过去填补空穴，这样空穴便转移到邻近共价价键中去，因此就出现价电子和空穴两个相反方向的运动，半导体正是依靠自由电子和空穴两种载流子导电的物质。 所谓复合是指自由电子在热运动过程中与空穴相遇而释放能量，造成自由电子--空穴对的消失。 载流子：运载电荷的粒子。 图1.1.2 本征半导体中的自由电子和空穴 二、 杂质半导体 在本征半导体中，掺入一定量的杂质元素就成为杂质半导体，根据掺入的杂质元素不同，可形成N型和P 型；控制掺入杂质元素的浓度，可以控制杂质半导体的导电性能。 1、 N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素的杂质（磷、锑或砷），使之取代晶格中硅的位置，形成N型半导体。 磷有五个价电子，而只需拿出四个与相邻的硅原子进行共价键结合，多余一个电子未被束缚在共价键中，仅受磷原子核内的正电荷吸引（比共价键弱），在常温下很容易挣脱束缚成为自由电子，磷原子因少一个电子成为带正电荷的磷离子（但其束缚在晶格中，不能移动，不能像载流子那样起导电作用），因其施放电子，故称施主杂质。 图1.1.3 N型半导体 与本征激发相比，N型半导体中自由电子浓度大大增加，而空穴因与自由电子相遇而复合机会增加浓度反而更小了。杂质半导体中载流子浓度不再相等，多的称为多数载流子，又称多子，少的称为少数载流子，又称少子。 2、 P型半导体 硼只有三个价电子，在与相邻的硅原子形成共价键时，缺少一 个价电子，因而形成一个空穴，而自由电子因与空穴相遇而复合机会增加浓度反而更小了。 当空穴由相邻共价键中的价电子填补时（相当于空穴移动），硼原子由于接 受一个电子成为带负电的硼离子，因其接受电子，称为受主杂质。 三、PN结 采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在他们的交界面就形成PN结。 PN结具有单向导电性 PN结的形成（理解） 扩散运动：由于浓度差而产生的运动 漂移运动：在电场力作用下，载流子的运动 （1）外加正向电压时处于导通状态。 由于电源作用，扩散运动将源源不断的进行，从而形成正向电流，PN结导通。 PN