项目二音频放大电路重点解析.ppt

项目二 音频放大电路 知识目标 知识目标 掌握三极管的基本知识 了解场效应管的结构、符号和特性 掌握三极管电压放大电路的工作原理及相关计算 掌握功率放大电路的工作原理 技能目标 技能目标 掌握三极管共射极放大电路的性能测试方法 掌握音频放大器性能测试方法 会用multisim软件对放大电路进行仿真分析 知识链接 链接一 半导体三极管 链接二 三极管放大电路 链接三 音频功率放大电路 任务一 常用电子元器件的识别（二） 任务二 晶体管单管共射极放大电路性能测试 任务三 三极管放大电路综合性能的仿真分析 任务四 音频放大器的性能测试 任务五 功率放大器的仿真分析 链接一 认识双极型三极管 一、三极管的结构及分类 1. 结构、符号 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型半导体三极管，简称三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。 2、 三极管外形、分类 按结构分为NPN型和PNP型； 按所用的半导体材料分为硅管和锗管； 按工作频率分为低频管、中频管和高频管；按用途分为放大管和开关管； 按功率大小分为小功率、中功率管、大功率管等 二、半导体三极管放大原理 1. 产生放大作用的条件 内部条件: 三极管具有放大作用所需具备的内部条件:发射区掺杂浓度高；基区薄且掺杂浓度低；集电结面积大。 外部条件: 发射结正偏，集电结反偏。 2. 三极管内部载流子的传输过程 发射区向基区注入电子，形成发射极电流 IE 。 电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 IB。 集电区收集扩散过来的电子，形成集电极电流IC。 3. 电流分配关系 4. 三极管的电流放大作用 基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。 1.输入特性曲线 三极管的输入特性曲线是指当三极管集-射之间电压一定的情况下，输入回路的基极电流与基-射电压之间的关系曲线，可以表示为 ： 2.输出特性曲线 三极管的输出特性曲线是指当三极管基极电流一定的情况下，输出回路的集电极电流与集-射电压之间的关系曲线，可以表示为： （1）截止区 iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， uBE小于死区电压，三极管的发射结处于反偏或者零偏，集电结处于反偏，对应于三极管工作在截止区，有： （2）放大区 又叫线性区或恒流区，iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距，此时，三极管的发射结处于正偏，集电结处于反偏。对应于三极管工作在放大区有： （3）饱和区 三极管的发射结处于正偏，集电结正偏或反偏电压很小。该三极管工作在饱和区，有： UCE电压基本不变，称此时UCE为饱和电压，用UCES表示。UCES很小，通常计算中，小功率硅管的UCES取值为0. 3 V。 【例1-1】测得三极管的直流电位如图1-18(a)、(b)、(c)所示，试判断它们的工作状态。 2．反向电流 ICBO ：发射极开路时，集电极一基极反向饱和电流。受温度的影响大。ICBO越小，管子工作稳定性越好。小功率锗管的ICBO为几微安到几十微安，小功率硅管的ICBO小于1 uA ICEO： 是当三极管基极开路而集电结反偏、发射结正偏时的集电极电流，也叫穿透电流。 ICEO,ICBO均随温度的上升而增大。 3．极限参数 集电极最大允许电流 ICM：三极管正常工作时集电极所允许的最大工作电流。当IC超过一定数值时，β下降。ICM就是当?下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。ICICM时，可导致三极管损坏。 反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 集电极最大允许功耗PCM 集电极最大允许功耗PCM 集电极最大允许功耗PCM等于集电极电流iC与uCE的乘积。PCM= ICUCE 当三极管功耗超过最大允许功耗PCM时，三极管有可能因PN结温度过高而造成永久性损坏。 PCM值与环境温度有关，温度愈高，则PCM值愈小。当超过此值时，管子性能将变坏或烧毁。 链接二 场效应晶体管 场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它仅靠多数载流子导电，又称单极型晶体管。 场效应管不但具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、能耗低等优点。 场效应管它有两种类型，一种是绝缘栅型场效应管，又称MOS场效应管，一种是结型栅型效应管。 每种类型均分为两种不同的沟道：N沟道和P沟