第六章磁敏式传感器技术方案.pptVIP

第六章 磁敏式传感器 第一节 基本原理和结构型式 (Principles and Structures) 磁电式传感器是利用电磁感应原理，将输入运动速度变换成感应电势输出的传感器。它不需要辅助电源，就能把被测对象的机械能转换成易于测量的电信号，是一种有源传感器。有时也称作电动式或感应式传感器， 只适合进行动态测量。由于它有较大的输出功率，故配用电路较简单；零位及性能稳定； 6.1.2 磁电感应式传感器基本特性 当测量电路接入磁电传感器电路中，磁电传感器的输出电流I为: （6-3） 式中： Rf——测量电路输入电阻； R—— 线圈等效电阻。 传感器的电流灵敏度为: 而传感器的输出电压和电压灵敏度分别为: 当传感器的工作温度发生变化或受到外界磁场干扰、 机械振动或冲击时，其灵敏度将发生变化而产生测量误差。相对误差为 磁电式传感器在使用时存在误差，主要为非线性误差和温度误差。 6.1.3 磁电感应式传感器测量电路 磁电式传感器直接输出感应电动势，且传感器通常具有较高的灵敏度，不需要高增益放大器。但磁电式传感器是速度传感器，若要获取被测位移或加速度信号，则需要配用积分或微分电路。图6-4为一般测量电路方框图。 6.2 霍尔传感器 霍尔传感器为载流半导体在磁场中有电磁效应（霍尔效应）而输出电动势的一种传感器。 随着半导体技术的发展，开始用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。 霍尔传感器广泛用于电磁测量电流、磁场、压力、加速度、振动等方面的测量。 6.2.1 霍尔效应及霍尔元件 1）霍尔效应 置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应，该电势称霍尔电势，半导体薄片称霍尔元件。 图6-5所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一个导电板，导电板通以电流I，方向如图所示。 导电板中的电流是金属中自由电子在电场作用下的定向运动。此时，每个电子受洛仑磁力Fm的作用，Fm的大小为： 式中：e-电子电荷；v-电子运动平均速度；B-磁场的磁感应强度。 Fm的方向在图6-5中是向上的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在Fm的作用下向上漂移，结果使金属导电板上底面积累电子，而下 底面积累正电荷，从而形成了附加内电场EH，称霍尔电场，该电场强度为: 则 此时电荷不再向两底面积累，达到平衡状态。 若金属导电板单位体积内电子数为n，电子定向运动平均速度为v，则激励电流I=nvbd（-e），则: （6-14） 将式（6-14）代入式（6-12）得: （6-15） 将上式代入式（6-10）得: （6-16） 式中令RH=-1/（ne），称之为霍尔常数，其大小取决于导体载流子密度，则: 式中:KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度。 由式（6-17）可见，霍尔电势正比于激励电流及磁感应强度，其灵敏度与霍尔常数RH成正比而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。 则: 解得 : 霍尔电势的大小还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好，霍尔元件的厚度d与KH成反比，因此，霍尔元件的厚度越小，其灵敏度越高。当霍尔元件的宽度b加大，或 减小时，载流子在偏转过程中的损失将加大，使UH下降。通常要对式（6-17）加以形状效应修正： 式中