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例题(书P32) 中国三极管型号命名方法 中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。 五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管 3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时： A-N型锗材料 B-P型锗材料 C-N型硅材料 D-P型硅材料 表示三极管时： A-PNP型锗材料、 B-NPN型锗材料、 C-PNP型硅材料、 D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、 V-微波管 W-稳压管 C-参量管 Z-整流管 L-整流堆 S-隧道管 N-阻尼管 U-光电器件 K-开关管 X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W) G-高频小功率管（f3MHz,Pc1W) D -低频大功率管（f3MHz,Pc1W) A-高频大功率管（f3MHz,Pc1W) T-半导体晶闸管（可控整流器） Y-体效应器件 B-雪崩管 J-阶跃恢复管 CS-场效应管 BT-半导体特殊器件 FH-复合管 PIN-PIN型管 JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管 共射极电流交流电流放大倍数 直流β=IC /IB 交流 β=△IC /△IB hfe是交流信号放大系数，俗称β，是动态的。 HFE是直流电流放大系数，是静态的。 hfe是三极管H参数，全称“共发射极低频小信号输出交流短路电流放大系数”. β是Ic与Ib函数关系的普遍表达式，尤其特指在晶体管基区中电流的分配关系。两者在概念上有所差异，但数值上相当一致，在大多情况下可不加区分。 在设计计算和应用放大电路时，经常应用管子的手册数据hfe. 在分析研究和说明晶体管物理状态时，就应用β表示。 五、三极管的识别和简单测试 第二章半导体三极管及放大电路 §2-1 半导体三极管 一、三极管的结构、符号和类型 1.结构和符号 常见三极管的外形 三极管的种类 二、三极管的电流放大作用 1.三极管的工作电压 1.输入特性 即:UCE 一定 , UBE 与 IB关系 2.输出特性 即IB一定, UCE与IC关系
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