1.2三极管教程讲解.pptVIP

IC UCE IB USC RB USB C B E RC ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ USB =5V， IB= (USB -UBE)/ RB =(5-0.7)/70=0.061 mA IC= ?IB =50?0.061=3.05 mA ICS =2 mA ， Q位于饱和区(实际上，此时IC和IB 已不是?的关系） 例1： 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。 放大 截止 饱和 - + 正偏 反偏 - + + - 正偏 反偏 + - 放大VcVbVe 放大VcVbVe 例2： 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 放大 § 4、晶体管的主要参数 放大系数：反映放大能力的。 极间电流：反映工作稳定性的。 极限参数：保证安全工作的。 特征频率fT * ------第二部分 半导体三极管 §1、三极管的结构和符号 §2 、电流分配关系及放大作用 §3、晶体管的特性曲线 §4、晶体管的主要参数 §5、分类和选用 第一章 常用半导体器件 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 §1、三极管结构和符号 两种类型的三极管 发射结(Je) 集电结(Jc) 基极，用B或b表示（Base） 发射极，用E或e 表示（Emitter）； 集电极，用C或c 表示（Collector）。 发射区 集电区 基区 三极管符号 1.半导体三极管的结构示意图 它有两种类:NPN型和PNP型。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 结构与分类 两个PN结、三个引脚，两种类型：NPN和PNP型。 集电结 发射结 B E C NPN型三极管 B E C PNP型三极管 2.BJT符号 N P N C B E P N P C B E 　　由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用。 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 3.结构特点 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 + + + + + + + + + + + + + _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ + + + + + + + + + + + + + §2 、电流分配关系及放大作用 三极管具有放大作用不仅是由于它具有两个PN结，还取决于它的内、外部条件。 发射区的主要功能是发射载流子；基区的主要功能是运输和控制载流子；集电区的主要功能是收集载流子。 1.BJT放大的条件 发射区的掺杂浓度最高； 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米， 且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 （1）放大的内部条件 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 IB （2）BJT放大的外部条件：发射结正偏，集电结反偏 B E C N N P EB RB Ec IE 从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。 IC IC IB 三极管能放大电流的必要条件： 发射结正偏，集电结反偏。 IE=IB+ IC IE=IB+ IC 根据KCL IE=IB+ IC 2、晶体管内部载流子的传输过程及电流分配关系 a、发射区发射载流子 IE=IEN+IEP≈IEN b、载流子基区的传输与复合 IB=IEP+IBN－ICBO c、集电区的收集载流子 IC=ICN+ICBO  IEN=ICN+IBN IEN IEP IBN ICBO ICN IE IC IB EB EC N P N IE= IEN+ IEP 且有IENIEP IEN=ICN+ IBN 且有IEN IBN ，ICNIBN IC=ICN+ ICBO IB=IEP+ IBN－ICBO IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN =(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO) IE =IC+IB IEN IEP IBN