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第5章集成传感器 第五章 集成传感器 集成传感器：将敏感元件、信号调理电路（放大器、滤波电路、整形电路、运算电路）、补偿电路、控制电路（如地址选择、移位寄存电路）或电源（稳压源、恒流源）等制作在同一芯片上，使传感器具有很高的性能。 集成传感器:是用标准的生产硅基半导体 集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号 的部分电路 也集成在同一芯片上。 集成（integration）就是一些孤立的事物或元素通过某种方式集中在一起，产生联系，从而构成一个有机整体的过程。 第五章 集成传感器 集成传感器优点：抗环境干扰、抗电源波动能力强，体积小，可靠性高、易于同外部电路连接、无需外接变换电路等。 第五章 集成传感器 §5.1集成压敏传感器 §5.2集成温敏传感器 §5.3集成磁敏传感器 思考题 §5.3集成传感器应用实例 第一节 集成压敏传感器 1、硅敏感电容器结构 一、硅电容式集成传感器 构成: 硅压力敏感电容器、转换电路和辅助电路 硅片边缘与基底材料键合在一起。 基底材料金属薄膜为电容器的一个极板 硅片薄膜上另一个极板 2、硅敏感电容器原理 C = ε s / d 圆形膜： 式中：g=b/a；L为铝电极板间的极距；H为硅膜厚度；P为外部压力；?、E为硅膜材料的泊松系数和弹性模量。 式中：g1=b1/a； g2=b2/a；g3=b3/a； 环形膜： 举例： 设圆形硅膜压敏电容L=2?m，H=20?m，b=500?m，a=350?m，E=130×103MPa，?=0.18，P=100kPa。 计算得：C0 = 1.7pF，Cx = 1.285C0，?C=0.485pF。 环形膜： 压力灵敏度定义：P105 扩散硅电容器电容值很小，受压产生的电容值变化(0.1～10pF)也很小，这就要求测量电路必须具有相当高的灵敏度和很低的零点漂移。必须采用集成电路。 2、测量电路 转换电路有两类： ②电容→频率: 将压力敏感电容作为振荡电路的电容元件，压敏电容的变化引起该电路振荡频率的变化。 ①电容→电压: 采用交流电源激励，并通过整流电路来检出电容的变化，得到与电容有关的电压信号。 4、CP8型集成压敏传感器 输出缓冲电路：两级射极跟随器进行阻抗变换。 振荡器：阻容式自激振荡器，由于BG1和BG2各自处于直流电压负反馈的工作状态，由于C1和C2的耦合作用，电路产生自激振荡。 整形电路：由BG4和BG5构成的斯密特触发器进行整形，增大波形幅度和改善边沿特性。二极管D7～D10用于钳位以防止晶体管BG4、BG5进入饱和区而影响电路的响应速度。 ◆压力敏感元件：包括低通滤波器。 放大器：差分放大器。对前面未能完全滤除的共模交流信号有进一步的抑制作用。 对转换电路的基本要求 把压敏电容与传输线有效隔离开来 减少杂散电容、寄生电容的干扰 解决办法 在集成电路中，压敏电容器是电路的内部元件， 它与任何输入或输出引线之间都是隔离的。 把压敏电容和转换电路集成在一起 压敏电容变化-直流电压-典型测量电路 工作原理分析： 为克服二极管的正向压降对灵敏度的影响，可以将四个二极管换成MOS晶体管。 A→B B→A 二、扩散硅压敏传感器 电桥输出电压为： 电桥的实际供电电压VB为 ： 辅助电路：温度补偿电路，由电阻R5、R6和晶体管BG构成的温 度补偿网络。 若BG的基极电流比电阻R5、R6的电流小得多，晶体管的集电极-发射极电压为： 敏感元件：压敏电阻R1~R4。 测量电路：压敏电阻R1~R4构成的电桥。 设压敏电阻的灵敏度为K， 且R1 = R3 = R0 + KPR0、 R2 = R4 = R0 - KPR0，则： V0 = VBKP 可见，通过适当选取R5、R6的比值,可以使输出电压的温度系数为零，也就是说通过电路参数的设定可以补偿电路的温度误差。 电桥输出电压的温度系数为： 温度补偿：T↑→Vbe↓→Vce↓→VB↑，另一方面，T↑→V0↓。 第二节 集成温敏传感器 一、PTAT核心电路： proportional to absolute temperature 1、PTAT基本电路 基本原理：BG1、BG2结构和性能完全相同，在电阻R1上得到的两晶体管BG1、BG2的基极-发射极电压差为： 式中：Jc1和Jc2分别是BG1和BG2管的集电极电流密度。 由于(Jc1/Jc2)恒定，因此电阻R1上的电压?Vbe 将正比于绝对温度T。 设两管增益极高，因此基极电流可以忽略，即集电极电流等于发射极电流，则： ?Vbe = R1Ic2 电流Ic2、Ic1 和R2 上的电压正比于绝对温度。电路总电流(Ic1+Ic2)也正比于绝对温度。这种电路称为PTAT( Proporti