第8章光电式传感器A讲解.pptVIP

光敏三极管结构与基本电路 图 8 –10 NPN型光敏晶体管结构简图和基本电路 2）光敏管的特性 　 （１）光谱特性 图 8-12 光敏二极(晶体)管的光谱特性 * 第8章 光电式传感器 8.1 光电效应传感器 8.2 固态图像传感器 8.3 光纤传感器 光电式传感器概述 作用：将光信号转变为电信号。 特点：非接触测量，响应速度快，性能可靠。 类别： 　四类光敏传感器： 　一、光电效应传感器； 　二、红外热释电探测器； 　三、固态图像传感器（CMOS、CCD）； 　四、光纤传感器。 光电式传感器的工作原理及基本组成 　被测光量：需要测量的主体（发光体、反光体、透光体、阻光体）。 　前置光学元件：将点光源的发散光变为平行光。 　后置光学元件：对平行光进行聚焦。 　光电元件：光电转换。 　测量电路：调理电路。 　工作原理：反映被测主体信息的光信号，经光学组件处理，由光电元件转换为电信号。 8.1.1 光电效应 　１.外光电效应：光电子逸出。 　２.内光电效应（二种） 　　光电导效应：电阻率变化。 　　光生伏特效应（阻挡层光电效应）：产生电动势。 8.1 光电效应传感器 8.1.2 外光电效应型光电器件 　外光电效应：在光的照射下，某些材料（金属或金属氧化物）中的电子获得足够的能量，逸出表面，向外发射（光致发射）。 　光子的能量： E=hυ 式中： h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s)  υ——光的频率（s-1）。 （8-1） 爱因斯坦光电效应方程： （8-2） 　A0为逸出功：金属或半导体材料中电子逸出时克服表面势垒所需作出的功，与材料及表面形状有关。 　动能：发射的电子所具有的能量。 　当hυ≥ A0 时，电子可逸出。 　υ0为能产生外光电效应的光的最低频率（红限频率）。光的颜色与的关系？ 　能否产生外光电效应与υ有关，与光强无关。 　当υ≥υ0时，产生的光电子数与光强成正比。 。 光电管 　１）真空光电二极管 　结构：光电阴极、阳极组成真空管。 　原理：阴极受光照（υ适当）――电子逸出阴极表面――电场作用――形成阳极电流。 　用途：一般光强测量。 　 　２）充气光电二极管 　结构：在管内充以低压惰性气体。 　特点：提高灵敏度。 　原理：光电子在飞向阳极的过程中与惰性气体分子碰撞，使惰性气体分子电离出电子与正离子，从而增大电流。　用途：较弱光强测量。 ３）主要特性 　伏安特性：光照不变，V－I关系。 　光照特性（1,2为不同阴极光电管）：V不变，光通量与光电流的关系。 　光谱特性：不同的光电管适用于不同的光频率。 2. 光电管倍增管 　结构与工作原理 　结构：光电阴极、若干倍增电极、阳极组成真空管。 　原理：倍增电极受电子轰击――更多的二次电子。 　电路：各倍增电极电压离阴极距离增加而升高。光电倍增管电路 用途：极弱光测量。 应用示例： γ射线测量： 8.1.3 内光电效应型光电器件 　１.光敏电阻 　光电导效应：在光的照射下，半导体材料的电导率改变。 １）结构和原理 　原理：光作用于半导体――产生电子－空穴对――电导率增加。 　光敏电阻又称光导管，它几乎都是用半导体材料制成的光电器件，其常用的材料有硫化镉（CdS）、硫化铅（PbS）、锑化铟（InSb）等。 光敏电阻结构 (a) 光敏电阻结构； (b) 光敏电阻电极； (c) 光敏电阻接线图 结构： 2）光敏电阻的主要参数 　暗电阻、亮电阻与光电流： 　暗电阻：不受光照时的电阻值（室温）。典型值：106－108Ω 　暗电流：给定电压下（例如：10V），流过暗电阻的电流。 　亮电阻：受光照时的电阻值。典型值：102－103Ω 　亮电流：给定电压下，流过亮电阻的电流。 　光电流：亮电流 － 暗电流。 3）光敏电阻的特性 （1）伏安特性 　一定照度下，光电流与所加电压的关系。 图 8-3 硫化镉光敏电阻的伏安特性 （２）光照特性 　光电流与光强的关系。（非线性） 图8-4 光敏电阻的光照特性 （３）光谱特性 　相对灵敏度与入射光谱频率（波长）的关系。　不同光敏电阻对光谱频率具有选择性。 图8-5 光敏电阻的光谱特性 　对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同的，而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。 　从图中可见： 　硫化镉光敏电阻的光谱响应的峰值在可见光区域，常被用作光度量测量（照度计）的探头。 　而硫化铅光敏电阻响应于近红外和中红外区， 常用做火焰探测器的探头。 （４）频率特性 光敏电阻的光电流不能随着光强改变而立刻变化。 频率特性：入射光的相对灵敏度与调制频率的关系。 图8-6 光敏电阻的频率特性 （５）温度特性 　温度变化时，影响光敏电阻的光谱响应，同时光敏电阻的灵敏度和暗电