掺杂ZnO电子结构与光学性质的第一性原理计算解析.docVIP

掺杂ZnO 电子结构与光学性质的第一性原理计算 席东亮 (陕西理工学院 物理与电信工程学院物理学专业2011级2班，陕西汉中 723000) 指导教师：潘峰 [摘要] 本文章以密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，对ZnO电子结构、掺杂改性、光学性质、等性质进行了研究。计算了纤锌矿ZnO晶格常数、能带结构、键结构、态密度，利用材料模拟软件C精确计算了ZnO的光学性质。利用半导体带间跃迁理论和ZnO电子结构信息，对反射谱图的峰值进行了指认，探讨了Sn掺杂ZnO材料的性质，结果表明掺杂后在导带底出现大量由掺杂原子贡献的自由载流子-电子，不仅提高了电导率还改善了ZnO的导电性能，为试验图谱解析和控制ZnO材料的生长提供了理论依据。 [关键词] ZnO；Sn掺杂；电子结构；光学性质；第一性原理 引言 氧化锌(ZnO)是II-VI族四面体形式成键的宽带隙禁带半导体材料，是一种新型光电材料，有优异的常温发光性能，在半导体领域的气体传感器[1]、发光二极管、透明导电薄膜[2]等产品中均有应用。目前对于ZnO电子结构、缺陷态、界面等性质进行了理论和实验的论证，并且有一些成果。但是在缺陷、光学性能以及相关性质没有确切的结果。近几年，基于DFT(密度泛函理论)的第一性原理计算的方法，以此来研究氧化锌的性质。本篇文章的目的是采用第一性原理计算模拟技术对ZnO及掺杂ZnO能带结构、态密度、能量损失函数等性质进行了理论计算，采用DFT的广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)下的平面波赝势法对Sn掺杂的ZnO电子结构展开了理论探索，利用最终所计算的结果来解释在实验中所存在的现实问题，经过探讨和理论分析对计算出的电子结构来预测材料的宏观特性。为今后发展性能更好的ZnO光电子材料体系做了一些基础性研究。所有计算工作都是利用Materials Studio 7.0软件在PC机上完成的。 1理论模型与计算方法 1.1理论模型 图1.1 ZnO晶体结构((a)侧视图和(b)俯视图) 在常温常压下稳定的ZnO是六方纤锌矿结构,c轴方向的Zn-O键长为0.1992nm，其它方向的为0.1973nm，其晶胞由氧的六角密堆积和锌的六角密堆积反向套构而成。其晶胞结构如图1.1所示。ZnO中的配位体是一个三角锥，它的棱长小于底面边长，中心原子与锥顶原子的键长稍大于与锥面三个原子的键长。我们采用了2×2×1的超原胞来模拟Zn1-x(TM)xO化合物的掺杂体系，此文章中的ZnO晶体的超胞中一共包含16个原子，是在ZnO原胞的a，b基失方向上分别扩展一个单位，其中一个Zn原子被取代掺入一个Sn原子，掺杂比例约为6.25﹪。 1.2计算方法 本节所有的计算工作都是由Materials studio7.0软件中的C软件包完成的。C软件是一个基于密度泛函方法的从头算量子力学程序：利用总能量平面波赝势方法，将离子势用赝势替代，电子波函数通过平面波基组展开，电子与电子相互作用的交换和相关势由局域密度近似(LDA)或广义梯度近似(GGA)进行校正，它是目前较为准确的电子结构计算的理论方法。 DFT中，单电子运动的薛定谔方程可以表示为(原子单位)： (.1) (1.2) 其中，▽2为Laplace算符，Zq为核电荷，表示单电子波函数，ni表示本征态的电子占据数，表示多电子密度。(.1)式中第一项代表体系中有效电子动能；第二项代表原子核对电子的吸引能；第三项是电子之间的库仑能；第四项是交换和相关能，其具体形式可由局域密度近似(LDA)和广义梯度近似(GGA)等表示。 在模拟过程中，采用周期性边界条件，单电子轨道波函数满足Bloch定理，采用平面波基组展开为： (.3) 上式中，g是原胞的倒格矢，是第一布里源区的波矢，是单电子轨道波函数的Fourier级数。 晶体结构计算结果 理论计算的ZnO晶体结构参数如表.1所示，计算结果与试验值基本符合。 表.1 ZnO优化的晶体结构参数和禁带宽度 a(nm) c(nm) c/a dZn1-O(nm) dZn2-O(nm) Eg(eV) 理论值GGA 0.3254 0.5254 1.614 0.1991 0.1978 1.90 理论值LDA 0.3265 0.5263 1.612 0.1994 0.1983 1.40 试验值[4] 0.3249 0.5216 1.603 0.1992 0.1973 3,37 .1能带结构和态密度 计算的能带结构如图.1所示，由图可知，ZnO理论预测是一种直接宽禁带半导体材料，导带底和价带顶都位于布里渊区中心Γ点处，自然条件下ZnO是