电力电子半导体器件(MOSFET)解析.pptVIP

第五章 功率场效应晶体管 （Power MOSFET) §5.1 结构与工作原理 §5.2 MOSFET特性与参数 §5.3 栅极驱动和保护 §5.4 应用 2．驱动特性 MOSFET栅源间静态电阻趋于无穷大，静态时栅极驱动电流几乎为零，但由于栅极输入电容的存在，栅极在开通和关断的动态驱动中仍需一定的驱动电流。 ①开通驱动特性 开通时间 振荡过程 感性负载 引线电感 驱动电路输出电阻 ②关断驱动特性： VGS=VDS+VT 预夹断，进入放大区 VDS关断时，由于引线电感存在，产生尖峰电压 电路中应加缓冲电路，限幅电路防止过电压 关断时，负驱动信号 尖峰电压 二、栅极驱动电路 （一）驱动电流选择： 不同MOSFET，极间电容量不同，功率越大，极间电容越大，开通关断驱动电流也越大。 1．开通驱动电流： 在ts时间内，将栅极输入电容充电到饱和导通所需电压VGS 2．关断驱动电流： 截止时漏极电压 放电时间 * * TO-247AC TO-220F TO-92 TO-126 一、普通MOSFET基本结构 特点：单极型电压控制器件，具有自关断能力，驱动功率小 工作速度高，无二次击穿问题，安全工作区宽。 1．N沟道MOSFET 工作原理： ①VGS=0，无导电沟道。 ②VGS0，反型层出现， 形成N沟道，电子导电。 G D S 类型：增强型，耗尽型 增强型 ２.P沟道MOSFET：空穴导电 分类：增强型，耗尽型 G D S G D S 增强型 耗尽型 3．存在问题：平面型结构 S、G、D处于同一平面，电流横向流动，电流容量不可能太大；要获得大功率，可增大沟道宽/长比（W/L），但沟道长度受工艺限制，不能很小；增大管芯面积，但不经济，因此管子功率小，大功率难实现。 二、功率MOSFET： 如何获得高耐压、大电流器件？ 对比GTR，GTR在功率领域获得突破的原因： ①垂直导电结构：发射极和集电极位于基区两侧，基区面积大， 很薄，电流容量很大。 ② N-漂移区：集电区加入轻掺杂N-漂移区，提高耐压。 ③双重扩散技术：基区宽度严格控制，可满足不同等级要求。 ④ 集电极安装于硅片底部，设计方便，封装密度高，耐压特性 好，在较小体积下，输出功率较大。 （一）VMOSFET： 保留MOSFET的优点，驱动功率小；吸收GTR优点，扩展功率，主要工艺： ①垂直导电结构；② N-漂移区；③双重扩散技术； 1．VVMOSFET：美国雷达半导体公司1975年推出 特点： ①VGS加电压后，形成反型层沟道，电流垂直流动。 ②漏极安装于衬底，可充分利用硅片面积 ③N-漂移区，提高耐压，降低CGD电容。 ④双重扩散可精确控制沟道长度。 缺点：V型槽底部易引起电场集中，提高耐压困难，改进：U型MOSFET。 2．VDMOSFET：垂直导电的双扩散MOS结构 沟道部分是由同一扩散窗利用两次扩散形成的P型体区和N+型源区的扩散深度差形成的，沟道长度可以精确控制——双重扩散。 电流在沟道内沿着表面流动，然后垂直地被漏极吸收。由于漏极也是从硅片底部引出，所以可以高度集成化。 漏源间施加电压后，由于耗尽层的扩展，使栅极下的MOSFET部分几乎保持一定的电压，于是可使耐压提高。 在此基础上，各种性能上不断改进，出现新结构：TMOS、HEXFET、 SIPMOS、π-MOS等。 G D S 寄生二极管 （二）多元集成结构 将成千上万个单元MOSFET（单元胞）并联连接形成。 特点： ①降低通态电阻，有利于电流提高。 多元集成结构使每个MOSFET单元沟道长度大大缩短，并联后，沟道电阻大大减小，对提高电流大为有利。 如：IRF150N沟道MOSFET，通态电阻0.045Ω ②提高工作频率，改善器件性能。 多元集成结构使沟道缩短，减小载流子渡越时间，并联结构，允许很多载流子同时渡越，开通时间大大缩短，ns级。 一、静态特性与参数 输出特性、饱和特性、转移特性及通态电阻、开启电压、跨导、最大电压定额、最大电流定额。 1．输出特性： 夹断区：截止区，VGSVT（开启电压）无反型层，ID电流为0。 可变电阻区：ID随VDS线性变化区，VGS越大，沟道电阻越小。 饱和区：放大区，随VGS增大，ID电流恒流区域。 VDS BVDS 雪崩区：击穿区，VDS增大，使漏极PN结击穿。 2．饱和特性：MOSFET饱和导通特性 特点： 导通时，沟道电阻较大，饱和压降较大。不像GTR有超量存储