电力电子技术_第2章_器件5_IGBT解析.pptVIP

2.4.4 绝缘栅双极晶体管 两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT） GTR和MOSFET复合，结合二者的优点。1986年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。 IGBT的结构 三端器件：栅极G、集电极C和发射极E 图为N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。 简化等效电路表明，IGBT是GTR与N沟道MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 RN为晶体管基区内的调制电阻。 IGBT的结构 IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，IGBT导通时P+ 往N-漂移区发射电子，对漂移区电阻率进行调制，使IGBT 具备较大的通流能力，解决电力MOSFTE中追求高耐压与低通态电阻之间的矛盾。 IGBT的结构 IGBT实用等效电路 Q1截止时IGBT的实用等效电路 Uce0,P+N-反偏，反向阻断。Uce0,N-P反偏，正向阻断。正反阻断能力近似相等。 IGBT的工作原理 ? 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 导通：uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 通态压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降减小。 关断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 IGBT的静态特性 IGBT的动态特性：开通特性 IGBT的开通过程：与MOSFET的相似。 开通延迟时间td(on)：10% uGE到10% iC幅值时间。 电流上升时间tr：10% iC幅值上升到90% iC幅值时间。 集射电压下降时间tfv ：uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程，该过程uGE保持不变，即处于米勒平台； tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程，由于uCE下降时MOSFET栅漏电容增加，而且PNP管由放大到转入饱和需要时间，所以tfv2 过程变缓。只有tfv2结束时，IGBT才进入饱和状态 IGBT的动态特性：关断特性 IGBT的关断过程：与MOSFET的相似。 关断延迟时间td(off)：90% uGE到10% uCE幅值时间。 集射电压上升时间trv ： uGE电压不变。 集电极电流下降时间tfi：90% iCM幅值下降到10% iCM幅值时间。下降过程分为tfi1和tfi2两段。 tfv1——IGBT中MOSFET关断过程，电流下降速度较快。 tfv2——PNP晶体管关断过程， MOSFET已经关断，IGBT无反压，N基区少子复合缓慢，造成集电极电流下降较慢。该时间段电流成为：拖尾电流。（可以如GTR降低饱和 程度来提高速度，但损耗增加） IGBT的特性和参数特点 擎住效应或自锁效应： 绝缘栅双极晶体管 3) IGBT的主要参数 温度特性 功率MOSFET 导通时温升沟道电阻速增，200度时可达室温时的3倍。考虑温升必须降电流定额使用。 IGBT 可在近200度下连续运行。导通时，MOS段的N通道电阻具有正温度系数，Q2的射基结具有负温度系数，总通态压降受温度影响非常小。 开关特性 开通特性二者等同。 关断时IGBT漂移区电荷仅靠复合移除缓慢，电流拖尾过程长，而MOSFET为多子载流，无存储电荷移除反向恢复过程，关断时间远远短于IGBT。IGBT关断拖尾时间随温升增涨。 IGBT适于高压低开关频率，功率MOS管则相反 IGBT功耗的计算 IGBT的技术发展 第6代IGBT模块通过改进CSTBT TM 的元胞结构,在确保安全工作区的前提下降低了通态电阻。同时,模块里搭载了新开发的具有较低的通态压降的续流二极管。通过这些措施,在变频运行时新产品的功耗比传统产品 降低约20％。 2.5 其他新型电力电子器件【简介】 MOS控制晶闸管MCT 静电感应晶体管SIT 静电感应晶闸管SITH 集成门极换流晶闸管IGCT 功率模块与功率集成电路 2.5.1 MOS控制晶闸管MCT MCT结合了二者的优点： 承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。 一个MCT器件由数以万计的MCT元组成。 每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET。 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 2.5.