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双极型晶体管（半导体三极管、晶体三极管、也可简称三极管、晶体管）。 为什么叫双极型晶体管？ 1.6 双极型晶体管 1.6.1 双极型晶体管的结构和类型 1、三极管的分类 (1) 按结构分：NPN型管、PNP型管。 (2) 按制作材料分：硅管、锗管； (3) 按工作频率分：高频管、低频管、开关三极管； 2、常见三极管的外形结构 中功率管 大功率管 小功率管 3、晶体管的基本结构及电路符号 (1)基本结构和电路符号 PNP型管 NPN型管 箭头指向表示双极型晶体管在正常工作时的电流流向。 集电极 基极 发射极 集电极 基极 发射极 VT VT (2)晶体管三个区的结构特点 B E 集电极 基极 N 发射极 N P C 发射结 集电结 1.6.2 三极管的电流分配与放大作用 放大是对模拟信号最基本的处理 晶体管是放大电路的核心元件 晶体管具有电流放大作用： 内因：内部结构特点（发射区、集电区、基区特点不同）。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 VT VBB VCC vi是要放大的输入信号； vo是放大以后的输出信号； VBB是基极电源； VCC是集电极电源； RC是集电极电阻； RB是基极偏置电阻。 vi vo 基本共射放大电路 放 大 器 vi vo i1 i2 VT 2.三极管内部载流子的运动 1）发射区向基区发射电子的过程 正向偏置的发射结，发射区里多子自由电子就会被注入到基区，形成了发射极电流IEN。 基区空穴扩散到发射区，形成空穴电流，形成发射极电流的另一部分IEP。 2）电子在基区的扩散和复合过程 基区空穴和发射区来的电子进行复合，形成基极电流IBN； 3）电子被集电区收集的过程 发射区电子大量跑到集电结漂移进入集电结，被集电区吸收，形成集电极电流ICN。 反向偏置的集电区中少量空穴形成反向饱和电流ICBO 。 IEN ICN ICBO IEP IBN IE=IC+IB 3. 三极管的电流分配关系和电流放大系数 IB ICBO IE=IC+IB ----该参数完全由器件结构决定 直流电流放大系数---IC和IB之间的比值，用β表示。 β描述晶体管基极电流对集电极电流控制能力的大小。 IE、IC、IB间的关系。 (2) IC、IB间的关系。 vi vo VT 例题 一： 已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 b e c NPN IE=IC+IB c b e PNP 例题二： 判断图所示电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 VT VT 1、输入特性曲线 1.6.3 三极管的特性曲线 三极管特性曲线---是描述各个电极间电压和电流之间关系的曲线。 ----在集电极c、发射极e间电压VCE保持恒定时，基极电流iB和基极、发射极间电压vBE之间的函数关系。 管子第三条腿参数VCE恒定 vi vo VT b c e iB vBE 通常将VCE=1的特性曲线作为晶体管的输入特性曲线。 vi vo VT b c e iB vBE vi VT b c e iB vBE vi vo VT b c e iB vBE IB ICBO vBE vi 导通电压：硅管0.6~0.7伏， 锗管0.2~0.3伏。 （1）当VCE=0，特性曲线与二极管正向伏安特性曲线相似。 （2）当VCE=1V，特性曲线形状不变，曲线仅右移一段距离。 （3）当VCE1V时，无论怎样增大VCE，曲线都基本重合，IB基本不变。 2、输出特性曲线 vi vo VT 输出特性曲线----描述三极管在输入的基极电流iB保持恒定时，集电极电流ic和管压降vCE之间的函数关系。 b c e IB vBE iC 三个工作区（晶体管工作状态）： 截止区(Cut off) 饱和区(Saturation) 放大区(Active) 集电极电流受基极电流控制。晶体三极管是电流控制器件 vi vo VT b c e IB vBE iC vCE 1）截止区 IB = 0 曲线以下的区域。 穿透电流ICEO很小，不受iB控制，受温度影响很大。 vCE ≈VCC，C、E之间相当于断开的开关。 vi vo VT b c e IB vBE iC vCE 2）饱和区 vCE0.7V的区域。