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课　时　授　课　计　划 课次序号： 1 一、课　　题：14-1 半导体的导电特性14-2 PN结 14-3 二极管 七、作业：14.3.2,14.3.7 八、授课记录： 授课日期 班　　次 九、授课效果分析： 十、教学进程（教学内容、教学环节及时间分配等） 1、复习： 2、导入课题：14-1 半导体的导电特性14-2 PN结 14-3 二极管14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性：热敏性、光敏性、掺杂性。 14.1.1 本征半导体 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流 (1)自由电子作定向运动形成电子电流 (2)价电子递补空穴形成空穴电流 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺入五价元素称为电子半导体或N型半导体。 掺入三价元素称为空穴半导体或 P型半导体。 无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压（正向偏置） PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 2. PN 结加反向电压（反向偏置）PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 4、课堂总结：掌握半导体二极管的单向导电特性。 5、布置作业：14.3.2,14.3.7 课　时　授　课　计　划 课次序号： 2 一、课　　题：§14-4 稳压管 §14-5 晶体管 七、作业：14.4.4，14.5.9 八、授课记录： 授课日期 班　　次 九、授课效果分析： 十、教学进程（教学内容、教学环节及时间分配等） 1、复习： 2、导入课题：§14-4 稳压管 §14-5 晶体管§14-6 光电器件§14-4 稳压管 。 伏安特性曲线与普通二极管相似，差别是反向击穿特性曲线较陡，反向击穿电压较低（普通二极管为数十伏至数百伏，一般硅稳压管为几伏至数十伏）。反向击穿可逆，工作在反向击穿区，但如果反向电流超过允许范围，会发生热击穿而损坏。 §14-5 晶体管 按材料分：硅管、锗管； 按功率大小分：大、中、小功率管； 按工作频率分：高频管、低频管。 2.晶体管的电流放大作用 基本结构： 结构特点： 电流分配和放大原理 三极管放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏 2．结论：1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC (( IB ， IC ( IE 3） IC (( ( IB 3.三极管内部载流子的运动规律 特性曲线 输入特性 输出特性 三极管只要加上合适的偏置电压使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，就能实现电流放大作用。 电流放大作用的条件：发射结正偏 可用三极管内部载流子的运动规律来解释上述结论。 晶体管的三个工作区： 放大区：在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 饱和区：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 截止区：在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 4 主要参数 电流放大系数 1.?β 可从输出特性曲线上求出 ，小功率管β＝10~200，一般采用30~80的管子，标明β范围的色点。 2.ICBO　集电极－基极反向饱和电流，受温度影响大，小功 率硅管ICBO＜1 μA， 锗管约为10 μA。 3.ICEO　集电极－发射极反向饱和电流， ICEO＝(1+ () ICBO， 选用管子希望ICBO 、ICEO尽量小，减小温度的影响。 硅管比锗管稳定，在实际中用得较多。 4.结电容 5.ICM 6.PCM 7.U(BR)CEO 4、课堂总结：掌握晶体管的基本结构、工作原理、特性曲线和主要参数，晶体管的电流分配和放大作用。 5、布置作业：14.4.4，14.5.9 课　时　授　课　计　划 课次序号： 3 一、课　　题：§15-1 共发射极电路的组成 §15-2 放大电路的静态分析放大电路的静态分析 七、作业：15.2.6,15.2.7 八、授课记录： 授课日期