半导体器件物理教学内容和要点要点.doc

教学内容要点 ’s Eq 求突变结空间电荷区内电场分布、电势分布、内建电势差和空间电荷区宽度 （利用耗尽近似） 第二节 加偏压的结 一、画出热平衡和正、反偏压下PN结的能带图，定性说明PN结的单向导电性 二、导出空间电荷区边界处少子的边界条件，解释PN结的正向注入和反向抽取现象 第三节 理想结的直流电流-电压特性 一、解扩散方程导出理想PN结稳态少子分布表达式，电流分布表达式，电流－电压关系 二、说明理想PN结中反向电流产生的机制（扩散区内热产生载流子电流） 第四节 空间电荷区的复合电流和产生电流 一、复合电流 二、产生电流 第五节 隧道电流 一、隧道电流产生的条件 二、隧道二极管的基本性质（多媒体演示 Fig2.12）） 三、阶跃恢复二极管基本理论 第十节 P-Ｎ结击穿 一、PN结击穿 二、两种击穿机制，PN结雪崩击穿基本理论的推导 三、计算机辅助计算例题2－3及相关习题 第三章 双极结型晶体管 第一节双极结型晶体管的结构 一、了解晶体管发展的历史过程 二、BJT的基本结构和工艺过程（多媒体 图3.1）））方程 一、四种工作模式下少子浓度边界条件及少子分布 二、E-M模型等效电路 三、E-M方程推导 第五节 缓变基区晶体管 一、 基区杂质浓度梯度引起的内建电场及对载流子的漂移作用 二、少子浓度推导 三、电流推导 四、基区输运因子推导 第六节 基区扩展电阻和电流集聚 一