半导体期末必考习题材料要点.docVIP

1．简述PN结耗尽区（空间电荷区）的形成机制。P9? ??答：P?区与N区接触后，由于存在浓度差的原因，结面附近的空穴将从浓度高的P区向浓度低的N区扩散，在P区留下不易扩散的带负电的电离受主杂质，结果使得在结面的P区一侧出现负的空间电荷；同样地，结面附近的电子从浓度高的N区向浓度低的P区扩散，在N区留下带正电的电离施主杂质，使结面的N区一侧出现正的空间电荷。 33、小电流时会（随电流的减小而下降）。这是由于小电流时，发射极电流中（势垒区复合电流占发射结电流）的比例增大，使注入效率下降。 34、发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（注入效率），反而会使其（下降）。造成发射区重掺杂效应的原因是（发射区禁带变窄）和（俄歇复合增强）。 36、当晶体管处于放大区时，理想情况下集电极电流随集电结反偏的增加而（不变）。但实际情况下集电极电流随集电结反偏增加而（增加），这称为（基区宽度调变）效应。 37、当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（变宽），使基区宽度（变窄），从而使集电极电流（增大），这就是基区宽度调变效应（即厄尔利效应）。 38、IES是指（集电极与基）结短路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。 39、ICS是指（发射极与基）结短路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。 41、ICBO是指（发射）极开路、（集电）结反偏时的（集电）极电流。 41、ICEO是指（基）极开路、（集电）结反偏时的（发射极穿透到集电）极电流。 42、IEBO是指（集电）极开路、（发射）结反偏时的（发射）极电流。 43、BVCBO是指（发射）极开路、（集电）结反偏，当（ ）时的VCB。 44、BVCEO是指（基）极开路、（集电）结反偏，当（ ）时的VCE。 45、BVEBO是指（集电）极开路、（发射）结反偏，当（ ）时的VEB。 46、基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（基区）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（增加）基区宽度、（增加）基区掺杂浓度。 10、PN结的正向电流由（空穴扩散Jdp）电流、（电子扩散电流Jdn）电流和（势垒区复合电流Jr）电流三部分所组成。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（负）电荷，N区一侧带（正）电荷。内建电场的方向是从（N）区指向（P）区。 3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（ ）。由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（ ）。 4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（短），内建电场的最大值就越（大），内建电势Vbi就越（大），反向饱和电流I0就越（小），势垒电容CT就越（ ），雪崩击穿电压就越（低）。 6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（减小），势垒区的势垒高度会（降低）。 7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（变宽），势垒区的势垒高度会（增高）。 9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（高）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（低）。 10、PN结的正向电流由（空穴扩散Jdp）电流、（电子扩散电流Jdn）电流和（势垒区复合电流Jr）电流三部分所组成。 11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（多子）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（少子）。 12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（复合）。每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（ ）。 14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（复合）电流为主；当电压较高时，以（扩散）电流为主。 15、薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（少子扩散长度）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（线性）。 16、小注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远小于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（非平衡）多子浓度可以忽略。 17、大注入条件是指注入某区边界附近的（非平衡少子）浓度远大于该区的（平衡多子）浓度，因此该区总的多子浓度中的（平衡）多子浓度可以忽略。 18、势垒电容反映的是PN结的（中性区中的非平衡载流子）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（高）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（低）。 19、扩散电容反映的是PN结的（势垒区边缘的电离杂质）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（大）；少子寿命越长，则扩散电容就越（大）。 20、在PN结开关管中，在外加电压从正向变为反向后的一段时间内，会出现一个较大的反向电流。引起这个电流的原因是存储在（N）区中的（非平衡少子）电荷。这个电荷的消失途径有两条