磁珠简介应用精要.ppt

THE END * *  三极管工作原理 放大状态下BJT中载流子的传输过程   1发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。 3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。 最终结果：IE=IEN+ IEP 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区： 传送和控制载流子 （以NPN为例）  2. 电流分配关系 根据传输过程可知 IE=IB+ IC IC= I CN+ ICBO 通常 IC ICBO ? 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? = 0.9?0.99 。 ? 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? 1 。 根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 且令 ICEO= (1+ ? ) ICBO （穿透电流）  综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。  输出特性曲线 iC=f(vCE)? iB=const 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。  三极管不仅用在放大电路中，还可以用在开关电路中。开关电路中的三极管工作在饱和导通和截止状态下。 NPN和 PNP型三极管的工作原理完全一样，只是在使用时电源连接的极性不同。  1、集电极电压Ucmax 它是允许加在三极管集电结上的最大反向电压。使用时不能超过这个最大值，否则集电结在过大的反向电压作用下，形成很强的电场，使集电极反向电流急剧增加，严重时会导致三极管的损坏； 2、最大集电极直流功耗Pcmax 该项参数与温度有关，温度升高时，该项参数要降低。锗三极管的上限温度是70℃，硅三极管的上限温度是150℃。为了提高Pcmax，常采用散热片或强制冷却的方法； 三极管选型的注意事项： 3、反向饱和电流Icbo， Icbo一般很小，但其受温度影响很大，随温度增加呈指数上升的趋势。锗三极管的Icbo大且温度特性差，所以在选用三极管时尽量选用硅管。在器件手册中，常给出Iceo，Iceo=（1+β）Icbo，可见Iceo对温度变化更敏感，因此，应选用Iceo小的管子。 4、电流放大倍数 β值的大小与工作点的频率有关，使用前应进行实测。一般来说，β值不是越大越好，β值太大会引起性能不稳定。β值在20~100较好。  第三章 磁珠  磁珠详解 磁珠专用于抑制信号线、电源线上的高频噪声和尖峰干扰，还具有吸收静电脉冲的能力。磁珠是用来吸收超高频信号，象一些RF电路，振荡电路，含超高频存储器电路（DDRSDRAM，RAMBUS等）都需要在电源输入部分加磁珠，而电感是一种蓄能元件，用在LC振荡电路，中低频的滤波电路等，其应用频率范围很少超过50MHZ。 磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。 他比普通的电感有更好的高频滤波特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果。 在低频段，阻抗由电感的感抗构成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感量较大，L起主要作用，电磁干扰被反射而受到抑制，并且这时磁芯的损耗较小，整个器件是一个低损耗、高Q特性的电感，这种电感容易造成谐振，因此在低频段，有时可能出现使用铁氧体磁珠后干扰增强的现象。 　　在高频段，阻抗由电阻成分构成，随着频率升高，磁芯的磁导率降低，导致电感的电感量减小，感抗成分减小 但是，这时磁芯的损耗增加，电阻成分增加，导致总的阻抗增加，当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转换成热能的形式耗散掉。  磁珠选用 磁珠在低频端几乎没有任何阻抗