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高品质的大钻石晶体的生长速率 摘要：对于在高压和高温下采用温度梯度法生长无包裹体的高品质的金刚石晶体的实验已展开研究。7-8克拉的无杂质的高品质Ⅱa型金刚石晶体可以通过选择合适的金属溶剂和添加剂并且以高温控制并维持一段时间的方式以6-7mg/h的高速率生长。通过使用大型种子晶体并且以温度控制来调整形态可以使含有氮杂质的Ⅰb型金刚石晶体可以在15毫克/小时的较高的生长速率下生长。这种大型种子生长II a型金刚石单晶的方法是不适用的，因为它在生长过程中很难控制它的晶体形态。 关键词：晶体形态；高温生长法；单晶体生长;金刚石 一.简介 生长较大的金刚石晶体的最有效的方法是在高温高压下的温度梯度生长法。这种方法1971年成功合成了约1克拉的金刚石晶体（5-6毫米）。然而，这个生长过程却因为是过于昂贵而不能转化为当时的商业化生产。据在论文中报道，含有分散10-100?pp的氮杂质Ib型金刚石晶体的增长率必须限制低于2.5毫克/，以避免无氮金属夹杂物的形成，IIa型金刚石单晶杂质，必须生长在1.5 mg/ h以较低的率。必要缓慢控制过程使生长高品质的大晶体的是非常困难和昂贵1985年，由于有限的率增长到4毫克/小时优化生长条件的温度梯度法大规模生产过程约1克拉的Ib 型金刚石晶体被成功地商业化。此外，在1990年，使用大型种晶体增长率高达15毫克/小时的Ib 型9克拉（12毫米对面）因此，黄I