第10次课半导体、光纤传感器及传感器选用原则摘要.ppt

第六节 光纤传感器 传统传感器：以机-电转换为基础，以电信号为变换和传输载体，利用导线传输电信号。 光纤传感器：以光学量为转换基础，以光信号为变换和传输载体，利用光导纤维传输光信号。 其工作原理为：由激光光源(氢-氦激光)发出的光(频率为fi)导入光导纤维，经过分光镜后，光线通过光纤射向振动物体，由于振动物体 (被测体)振动，产生散射(频率为fs)，被测物体的运动速度与多普勒频率之间的关系为 　 二、光纤导光原理 三、应用 光纤传感器应用相当广泛，尤其在下列情况下特别适应: 在高压、电磁感应噪音条件下的测试； 在危险和环境恶劣条件下的测试； 在机器设备内部的狭小间隙中的测试； 在远距离的传输中的测试。 以光纤传感器为核心的远距离测试系统在过程检测和控制系统中的应用已成为当前的重点研究课题。 四、应用举例： 第七节 半导体传感器 一、磁敏传感器（磁敏特性） 在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中，半导体磁敏元件是一种重要的器件。 分类：磁敏元件分霍耳元件、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管等。 主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。 这类器件的优点是结构简单，体积小，易于集成化，耐冲击，频响宽（从直流到微波），动态范围大，而且可以实现无接触检测，不存在磨损，抗污染，不产生火花，使用安全，寿命长，因此它在测量技术、自动控制和信息处理等方面有广泛的应用。 霍尔元件多采用N型半导体材料。目前最常用的霍尔元件材料有锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。 霍尔元件越薄(d越小)，kB就越大，薄膜霍尔元件厚度只有1μm左右。 霍尔元件在各种应用条件下所选用的原则: 1、磁场测量。若要求被测磁场精度较高,如高于±0.5％?,那么通常选用砷化镓霍尔元件,其灵敏度高,约为5-10mv/100mT。温度误差可忽略不计，且材料性能好，可以做的体积较小。在被测磁场精度较低，体积要求不高，?如精度低于±0.5％?时，?最好选用硅和锗霍尔元件。 2、电流测量。大部分霍尔元件可以用于电流测量.要求精度较高时,选用砷化镓霍尔元件;精度不高时,可选用砷化镓、硅、锗等霍尔元件. 3、转速和脉冲测量。测量转速和脉冲时，通常是选用集成霍尔开关和锑化铟霍尔元件。如在录像机和摄像机中采用了锑化铟霍尔元件替代电机的电刷，提高了使用寿命。 4、信号的运算和测量。通常利用霍尔电势与控制电流、被测磁场成正比，并与被测磁场同霍尔元件表面的夹角成正弦关系的特性，制造函数发生器。利用霍尔元件输出与控制电流和被测磁场乘积成正比的特性，制造功率表、电度表等。 5、拉力和压力测量。选用霍尔件制成的传感器较其它材料制成的传感器灵敏度和线性度更佳。 原理： 磁阻效应（Magnetoresistance Effects）是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。电阻的变化称为磁阻（MR）。 特点： 磁阻元件中的载流子在电场中漂移很短，频率响应极佳。 磁阻元件是二端元件，特殊的有三端和四端元件，还有磁阻集成电路。 应用实例 案例2—磁阻效应位移传感器 案例3—InSb磁阻式齿轮传感器 基于磁阻效应原理的半导体InSb磁阻效应包括磁电阻率效应(表现为半导体的电阻率随外加磁场变化而变化)和几何形状效应(表现为在相同磁场作用下，几何形状不同，半导体片电阻值出现不同的变化)两种。 磁敏二极管和磁敏三极管是70年代发展出来的新型磁敏传感器。 晶体二极管的工作原理： 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。 当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 优点： 从以上的工作过程可以看出，磁敏二极管是采用电子与空穴双重注入效应及复合效应原理工作的，具有很高的灵敏度，约为霍尔元件磁灵敏度的数百至数千倍； 由于磁敏二极管在正、负磁场作用下，其输出信号增量的方向不同，因此利用这一点可以判别磁场方向。体积小，功耗低。 缺点：有较大的噪声、漂移和温度系数。 应用：