√Ohm接触的原理与技术.docVIP

Ohm接触的原理与技术 Xie Meng-xian (UESTC，成都市) 任何元器件都需要金属电极来传输信号，则就离不开金属-半导体（M-S）接触，而这时为了不影响元器件的功能，就要求M-S接触本身是所谓Ohm接触，而非整流接触。但是，由于半导体表面状况的影响，任何金属与半导体的接触，都将由于界面处Fermi能级的钉扎效应而产生Schottky势垒（并且势垒高度基本上与金属功函数和半导体掺杂没有什么太大的关系），并呈现出整流性能（单向导电性）；虽然镜像力作用、以及在半导体表面设置高掺杂薄层等可以适当地调整Schottky势垒的高度，但无论如何也不可能消除Schottky势垒的影响。这就意味着，一般的M-S接触都将是具有整流性能的Schottky接触。因此，如何实现没有整流性能的Ohm接触，是一个需要很好研究的课题。 原则上，对于Ohm接触的基本性能要求应该是：一是电流与电压具有线性关系；二是接触电阻要小（应该远小于半导体的体电阻），即要求接触电阻率（比接触电阻）小。接触电阻率定义为 (c = ((J/(V)(1|V→0 [(-cm2] 接触电阻小就意味着在很低的电压下也能够通过较大的电流。一般来说，接触电阻小是Ohm接触所必需的，而其伏安特性的线性度并不重要。图1是Ohm接触的典型伏安特性曲线。 由于M-S接触总是形成Schottky势垒，因此为了实现Ohm接触，就应该设法消