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大回旋电子束形成技术及其应用研究 导 师：李家胤 教授 报告人：武新慧 电子科技大学物理电子学院 2012年12月3日 研究背景及意义 1.1 小回旋器件的典型成果及发展新方向 1、用于受控热核聚变的高功率、高能量回旋振荡管 2、回旋放大器件（回旋速调管和行波管） 3、工程与车载应用回旋器件：主动拒止武器 小轨道回旋器件高次谐波工作的特点 大轨道回旋器件低磁场工作的优势 （1）高效率。 潘尼管：π模工作，基波95%（Exp.72%），2次78%（Exp.43.8%）， 3次70%，10次40%。 2π模工作，3次75%（Exp.39%），10次6%（Exp.2.3%）。 大轨道回旋管：6次（94GHz）34%，8次20%。 小轨道回旋管：3次谐波20％，4次及以上尚无报道。 （2）剩余能量集中。注波互作用后电子能量保持单能级特性，易于回收，可以再次提高器件的整体效率（10%以上）。 （3）低磁场。若可工作于10次回旋谐波，则有可能研制280GHz以下的永磁包装大回旋器件（永磁体可达1.0T）。 （4）模式选择性好。 大轨道回旋管的典型成果 1.4 大回旋器件实用化的主要困难 大回旋电子枪的发展状况 1989年, 为了解决电子束波纹较大、电流较小的问题， 新型Cusp电子枪方案： 优点：克服了传统会切电子枪束流波纹大、阴极半径有限等缺点。没有中心磁柱，空心电子束中没有磁物质，真空封装箱体中没有磁铁和调节线圈。机械加工上相对较为简单。 70kV，3.5A，dvz5%, drg10%, 速度比1.5。 内容提要 一、引导中心漂移补偿法的基本思路 二、枪型I：新型缓变倒向场大回旋电子枪 三、枪型I在三次谐波潘尼管中的应用 四、枪型II：磁控注入式大回旋电子枪 五、枪型III：永磁包装三次谐波潘尼管电子枪 非理想会切磁场 传统方案的困难 任意场分布下阴极区与互作用区电子注参量的关系 速度零散产生的原因分析 1.2 引导中心漂移补偿法的基本思路 1.3 补偿机理 放开对磁场变化中间过程的要求，利用工程上能够实现的磁位形，只需阴极区磁场与互作用区磁场满足特定的关系。 严格控制初始磁通零散，即控制初始磁通的差异。 利用改变电场分布等手段，调整不同电子通过倒向磁场转换区的位相，对因非理想倒向磁场过渡区所引起的漂移进行补偿，达到互作用区偏心尽可能小的结果。 三种大回旋电子枪： I、新型缓变倒向场电子枪 特点：放宽了对磁场位形的要求。 II、磁控注入式大回旋电子枪 特点：通过控制初始磁通的差异达到了大电流、低速度零散的目的。 III、永磁包装大回旋电子枪 特点：利用一个简单的永磁包装磁体自然产生的 倒向磁场，放宽了对磁体的要求。 内容提要 一、 引导中心漂移补偿法的基本思路 二、 枪型I：新型缓变倒向场大回旋电子枪 三、枪型I在三次谐波潘尼管中的应用 四、枪型II：磁控注入式大回旋电子枪 五、枪型III：永磁包装三次谐波潘尼管电子枪 两种典型结构大回旋电子枪 磁场的描述方法 电子注的描述 磁系统设计 电子枪的设计结果 对枪内物理过程的分析 （3）引导中心漂移补偿法与传统方法设计的根本差别是： 传统方法：关注枪区电子束的层流性，关注减小倒向区前电子束的横向能量，关注电子注进入倒向点的径向位置，并使倒向区尽可能短，尽可能逼近理想的Cusp磁场。 引导中心漂移补偿法：并不是一步一步的追踪这些因素，重视的是阴极发射体和磁场的相对位置以保证合理的正则角动量初值及初值的零散。 （4）第二步是调整电极形状，改变枪区电场以尽量减小引导中心半径。 内容提要 一、引导中心漂移补偿法的基本思路 二、枪型I：新型缓变倒向场大回旋电子枪 三、枪型I在三次谐波潘尼管中的应用 四、枪型II：磁控注入式大回旋电子枪 五、枪型II：永磁包装三次谐波潘尼管电子枪 三次谐波潘尼管的结构及设计结果 束质量对器件性能的影响 三次谐波Peniotron对电子注的要求 三次谐波潘尼管电子枪设计结果 三次谐波潘尼管综合研究 磁系统平移对器件性能的影响 内容提要 一、引导中心漂移补偿法的基本思路 二、枪型I：新型缓变倒向场大回旋电子枪 三、枪型I在三次谐波潘尼管中的应用 四、枪型II：磁控注入式大回旋电子枪 五、枪型III：永磁包装三次谐波潘尼管电子枪 磁控注入式大回旋电子枪结构 内容提要 一、引导中心漂移补偿法的基本思路 二、枪型I：新型缓变倒向场大回旋电子枪 三、枪型I在三次谐波潘尼管中的应用 四、枪型II：磁控注入式大回旋电子枪 五、枪型III：永磁包装三次谐波潘尼管电子枪 回旋器件永磁包装的意义 超导系统或常温线包磁体较为庞大