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第6章 微机存储器系统 本章重点介绍两部分内容，一是存储器的内部结构、性能指标和如何选用存储器组成高效的存储系统；二是微型计算机常用的大规模集成电路随机存储器和只读存储器以及与CPU的连接等。学习本章后要达到能设计指定容量的存储系统。 6．1 分析教材内容 6.1.1 分析重点、难点问题 1. 存储器的基本概念 1) 存储器的分类 ① 按存取方式分类 随机存储器（RAM）。既可读出，又可写入信息的存储器,又称读/写存储器。 只读存储器（ROM）。每次访问只能读出信息，而不能写入新内容的存储器。 顺序存储器（SAM）。完全按照顺序进行存入或读出的存储器。 ② 按存储器载体分类 磁介质存储器，如磁盘、磁带等。磁介质存储器的特点是速度比较慢，一般 只用作外存。 半导体存储器，其主要特点是容量大、速度快、体积小和功耗低，并且成本 价格相对低，故其广泛用于大、中、小及微型机中用作内存。 光存储器，其速度快，但需要的硬件相对复杂，故主要也只用作外存。 2）存储器的基本组成 讨论半导体存储器的组成。一个完整的半导体存储器是由以下几部分组成的： ① 存储体；存储体是信息存储的集合体。 ② 地址寄存器与地址译码器： 地址寄存器：由地址总线接收存储器地址的寄存器。 地址译码器：对地址进行译码，选择出所要访问的存储单元的部件。根据地址译码的方式进行设置它，在大容量的存储器中常选用复合译码方式。由于存储器是按矩阵组成的，因此，把译码器分成两部分：X地址译码器和Y地址译码器。 ③写入电路与读出电路： 用来控制被选中单元的数据写入或读出，并对信息进行放大、整形等的存储体的控制电路。这里涉及2个控制信号： Ⅰ. 片选择信号：因一个存储器是由多个芯片组成的。在进行地址选择时，首先要选芯片，8086系统一般用地址译码器输出和M/IO相与作为片选择信号号。当为有效时，该芯片所连接的地址、命令才能生效。 Ⅱ. 读/写输入（）信号：是CPU发向存储器的读/写操作命令。 ④ 输入缓冲器与输出缓冲器：用来暂存或传送存储器的输入或输出数据。 3）存储器的技术指标 存储器是用来存放程序和数据的，对它的技术性能要求是：存储容量大，存取速度快，稳定可靠以及经济性好。衡量存储器性能的好坏，一般由下述指标衡量： ① 存储容量：通常以允许存放的字数×位数或用字节数来表示存储器的容量。 ② 存取周期；指连续存入或取出两个数据所间隔的时间。 ③ 取数时间：从CPU发出读命令开始，直到存储器获得有效读出信号的一段时间称为取数时间。 ④ 可靠性：常以平均无故障工作时间来衡量存储器的可靠性。 ⑤ 经济性：常以“性能价格比”来衡量存储器经济性能的好坏。 4）静态RAM： 其基本存储单元电路由六管电路组成，无论读写与否组成双稳态触发器的工作管均有一个饱和导通，功耗大。如：2114芯片（1K×4）、2716芯片（2K×8）。现以2114芯片为例，来说明静态RAM的具体组成。芯片的内部结构图请参见教科书P179图6-5。 Intel 2114静态RAM存储容量为1K×4位，芯片上共有4096个六管静态基本存储单元，按64×64矩阵排列，组成1K字，每个字4位。由A0～A9共10条地址线对1K字寻址。CPU每送来一个具体地址，即从1K字中选中一个确定的字进行操作，这个字的4个基本存储单元（4位）就可同时读／写。A9～A0这10条地址线分成行、列两个方向译码，由于Intel 2114每个字是4位，故数据线由I/O4～I/O1共4条组成。Intel 2114内部数据通过I/O电路以及I/O三态门与CPU的数据总线相连，由片选信号和写允许信号来实现这些三态门的控制。当有效时，表示芯片被选中，但具体是进行读操作还是写操作，还要由写允许信号决定。当为低电平时，数据信息由I/O1～I/O4写入由地址线A9～A0所选中的存储单元；当为高电平时，则输出三态门打开，片内选中的存储字所存信息被读出，送至数据总线。芯片采用单一的正电源供电。 5）动态 RAM： 基本存储单元电路由四管、三管或一管电路组成，它利用MOS绝缘栅极积攒电荷的特点，维持MOS的导通或截止（要定时刷新），故仅在读写时组成双稳态触发器的工作管方有电流，功耗小。如：4164芯片（64K×1）。 6）半导体只读存储器：大至分三种类型。 ① 掩膜只读存储器 制造厂家根据程序设计者编好的程序组成的“1”、“0”代码矩阵，利用集成电路工艺制造出相应的掩膜图案并生产出ROM芯片。这种ROM中的信息是永久性存储。使用时只能读出而不能写入新内容。因此称为只读存储器，简称为ROM，如常用的8308、8316芯片等。 ② 一次性可编程的只读存储器PROM PROM在制作时不写入信息，用户使用时可写入自己的程序。但这种写入是一次性的，一旦写入内容