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43 卷 6 期 红外与激光工程 2014 年6 月
Vol.43 No.6 Infrared and Laser Engineering Jun.2014
极紫外光刻材料研究进展
耿永友，邓常猛，吴谊群
( 中国科学院 海光学精密机械研究所 中国科学院强激光材料重点实验室， 海201800)
摘 要 极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22 nm 及以下节点的商用投影光刻技术，光刻
材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考，综述了最近几年来文献
报道的研究成果，介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求，总结了极紫
外光刻材料的研究领域和具体分类，着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理，光刻性能所达到的水平
和存在的主要问题，最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。
； ；
关键词 极紫外光刻 极紫外光刻材料 极紫外光刻性能
中图分类号 TN305.7 文献标志码 A 文章编号 1007-2276(2014) 06-1850-07
Recent progress of extreme ultraviolet resists
Geng Yongyou, Deng Changmeng, Wu Yiqun
(Key Laboratory of Material Science and Technology for High Power Lasers , Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics,
Chinese Academy of Sciences , Shanghai 201800 , China)
Abstract: Extreme ultraviolet Lithography (EUVL) has been considered as the strong candidate for next
generation commercial proj ection lithography to print sub -22 nm half -pitch (HP) features in
microelectronics field . Performance and technology of resists is one of the key parts of EUVL. In order
to improve the research work in China, recent progress of EUV resists reported in near years was
reviewed . The history and current status of EUVL were introduced. EUVL 忆 features and targets on resists
were presented. EUV resist research portfolio and its classification were summarized. Composition,
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