半导体集成电路第15章摘要.ppt

D/A,A/D转换器 半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第十五章 可靠性与可测性 集成电路的可靠性设计 可靠性的定义与度量 可靠性效应的分类 可靠性实验 提高可靠性的措施 集成电路的可测性设计 测试向量 故障模型 可靠性的定义 集成电路的可靠性是指在一定工作条件下，在一定时间内能够完成规定作用的几率。 电子信息系统产品的复杂程度不断增长 电子系统设备的使用环境日益严酷 电子系统的组装密度不断提高 失效率 瞬时失效率λ(t) λ(t)=Nt/[N(t)·Δt] 单位:非特。1非特=0.0001%/1000小时= 10e-9/小时 可靠性效应的分类 静电效应 热效应 二次击穿效应 闩锁效应 化学效应 辐射效应 界面效应 电迁移效应 静电效应 热效应 二次击穿： 当器件被偏置在某一特殊工作点时，电压突然降落，电流突然上升，出现负阻的物理现象叫二次击穿。(不是第二次击穿) 产生二次击穿的原因主要是管内结面不均匀、晶格缺陷等。 发生二次击穿的过程是：结面某些薄弱点上电流密度增大，引起这些局部点的温度升高，从而使局部点上 电流密度更大，温度更高……，如此反复作用，最后导致过热点的晶体熔化，相应在集射极间形成低阻通道，导致ＶCE下降，iC剧增，结果功率管尚未发烫就 已损坏。 二次击穿是破坏性的热击穿，为不可逆过程，有过量电流流过PN结，温度很高，使PN结烧毁。(雪崩击穿是一次击穿