新型薄膜全方位反射发光二极管设计与的研究.pdfVIP

摘要 捅 要 二十世纪60年代，第一支红光发光二极管(LightEmittingDiode，LED)诞生。 在近50年的时间里，半导体光电子产业不断地前进，发展。随着红色，橙色， 黄色A1GaInP=极管和蓝色，绿色GaN基二极管的发明，使用光电二极管进行 高亮度全色照明成为了可能。因此半导体光电子技术被看为当今最具发展前景的 高技术领域之一，具有巨大的社会和经济效益。但目前市场上高亮度LED的核 心技术都被掌握在美，日等发达国家手中，国家也投入巨资，希望改变这种现状。 本文提出了一种新的基于A以u固相直接键合的A1GaInP红光LED结构，从原 理和结构设计上解决了传统A1GalnP红光LED发光效率低，热效应差等问题， 这对促进我国半导体光电事业的发展具有重大意义。 本文围绕薄膜全方位反射LED的两个关键技术：固相Au／Au直接键合技术 和全方位反光镜技术展开研究。成功地利用固相Au／Au直接键合工艺将A1GaInP 红光LED外延片从GaAs村底转移到Si衬底上，并在键合界面制作了全方位反 光镜(Omni．directional 坏性影响，具体研究内容可归纳如下： 1．固相晶片直接键合技术的研究 对晶片之间的固相直接键合进行理论分析，研究了影响晶片直接键合的几个 重要因素，包括键合样品晶片的表面形貌，晶片表面化学状态及化学处理和键合 过程中退火温度对于键合成功率及键合质量的影响。为进一步深入研究GaAs与 Si衬底之间的固相直接键合以及提高键合效率、保证键合工艺的稳定性打下基 础。 2．固相晶片直接键合界面的测试分析 从微结构、元素分布、键合强度等几个方面测试分析直接键合晶片的界面特 性。测试固相Au／Au直接键合的强度，以确定其是否满足后续减薄，选择性腐 蚀等工艺的需要。为了确定键合工艺，比较直接键合和Au／Si共熔键合对键合晶 片和键合界面的影响。 3．薄膜全方位反射发光二极管结构设计 分析限制传统结构红光AIGaInP．LED光提取效率的因素，然后对几种国内外 常用的提高红光LED光提取效率的技术进行简要介绍，并对其中涉及的理论进行 Film 分析。综合上述几种技术的优点，提出薄膜全方位反射发光二极管(Thin ODR-LED的关键部件如反光镜选择、窗口层材料选择等做出选择，指出提高器 件光提取效率的重要因素，并论证全方位反光镜结构能大幅度提高LED的光提取 效率。 摘要 4．薄膜全方位反光镜LED的制备与测试 构LED的I．V和P．I特性，从电学和光学方面对其特性进行分析。同时，固相 Au／Au直接键合工艺也会给ODR．LED带来一些缺陷，这在将来的工作中需要进 一步克服。但总体来说，通过引进ODR结构，新的键合技术和成熟的GaAs衬 底腐蚀工艺，新型ODRoLED在不损失电学特性的前提下，提高了光功率输出， 同时工艺重复性较好。 关键词： 全方位反光镜，发光二极管，GaAs／Si，直接键合； Ⅱ Abstract Abstract The bornin1960s．Sincethenthe first diode(LED)was lightemitting to Semiconductor continuemove opto-electronicsindustry forward．Lightemitting fullcolor hasbecome Withthe diodesfortheuseof lighting possi