半导体桥生成等离子体温度的测量.pdfVIP

第 １７卷　第３期 含　能　材　料 Ｖｏｌ．１７，Ｎｏ．３ 　 　 ２００９年６月 　　 　ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＥＮＥＲＧＥＴＩＣＭＡＴＥＲＩＡＬＳ Ｊｕｎｅ，２００９ 文章编号：１００６９９４１（２００９）０３０３４４０５ 半导体桥生成等离子体温度的测量 张文超，王　文，周　彬，秦志春，张　琳，叶家海，田桂蓉 （南京理工大学化工学院，江苏 南京 ２１００９４） 摘要：应用原子发射光谱双谱线测温法原理，采用高速数字存贮示波器对半导体桥生成的等离子体温度以及桥 上电压、电流变化进行了实时瞬态测量，获得了等离子体温度以及半导体桥上消耗的能量随时间变化的曲线，在半 导体桥两端施加２１Ｖ电压的条件下，对６．８、１５、４７、６８、１００μＦ五种不同容量的钽电容对半导体桥的作用时间、消 耗能量以及生成等离子体温度的影响进行了研究，结果表明：半导体桥生成等离子体最高温度与电容呈线性关系， 其最高温度由６．８ Ｆ时的２２４２Ｋ升高到 １００ Ｆ时的３３２４Ｋ。 μ μ 关键词：应用化学；火工品；半导体桥；等离子体；温度测量 ＋ 中图分类号：ＴＪ４５３；Ｏ５３６；Ｏ６５７．３１　　 文献标识码：Ａ　　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００６９９４１．２００９．０３．０２２ ［７］ ［８］ 成的等离子体温度。冯红艳 、张文超 等采用原子 １　引　言 发射光谱双谱线法在不同电压下对半导体桥生成等离 半导体桥（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｂｒｉｄｇｅ，ＳＣＢ）火工品是指 子体温度的影响进行了研究，但是同一电压下不同电 利用微电子制造技术使一种或多种金属（或非金属）有 容对 ＳＣＢ生成等离子体温度的影响国内外未见报道。 控制地沉积于硅片上形成的单层或多层半导体膜（或金 本实验采用原子发射光谱双谱线法对 ＳＣＢ生成的等 属半导体复合膜）作为点火起爆单元的火工品。它具 离子体温度进行实时测量，研究同一电压条件下不同 有低发火能量、高安全性、高可靠性、瞬发度高以及能与 电容对 ＳＣＢ等离子体温度的影响。 ［１］ 数字逻辑电路组合等优点 ，是桥丝式火工品的理想换 代品。它的作用过程是：电能作用于 ＳＣＢ使其加热熔 ２　原子发射光谱双谱线法测量半导体桥等离 化、气化形成等离子体，灼热的硅等离子体通过微对流 子体温度的基本原理 作用迅速扩散到火工药剂中，向药剂进行极迅速的热量 ［９］ 　　根据原子光谱学理论 ，同种原子的两条谱线的 传递和冲击，使装药达到着火条件而发火［２－３］。 强度比为： 　　ＳＣＢ生成的等离子体具有温度高（３０００Ｋ以上）、 Ｅ －Ｅ Ｉ Ａｇλ １ ２