半导体集成电路第2章要点解析.ppt

半导体集成电路 南京理工大学电光学院 第二章 寄生效应及集成电路的制造技术 集成电路的基本制造技术 CMOS工艺与器件结构 版图设计规则 双极型晶体管工艺与器件结构 BiCMOS工艺 集成电路的基本制造技术 几个关键步骤 硅晶圆的制作 光刻(lithography)与刻蚀(etching) 扩散与离子注入 薄膜淀积-氧化 测试封装 最初：沙子 巴西、挪威出产的高纯度石英砂 硅的提成及硅锭的制作 将石英砂先脱氧，再以化学气相沉积（CVD）法还原，得到高纯度硅。学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。再用提拉法得到硅锭(Ingot)。 也可以在这个过程中根据需要，掺入杂质元素，得到N型或P型硅。 制成的硅锭要按电阻率和晶格完整度进行分类，然后将尾部切除，再进行机械修整。 在硅锭上需要打磨出一条或多条平边，以指示晶体方向和掺杂类型。 磨平后，用化学洗剂去除机械研磨造成的损伤，再进行切割。 切割后，再用一系列步骤去除残留的机械损伤，再用化学机械抛光等办法对晶圆进行抛光。 光刻与刻蚀：雕塑集成电路的刻刀 集成电路如同城市，有复杂规则的内部结构和形状。这些都是通过多次的光刻与刻蚀来完成的。决定集成电路器件的主要因素是表面图形（由光刻掩膜决定）和杂质浓度分布（由掺杂工艺决定）。 在进行光刻与刻蚀前，必须在设计时设计好每次光刻的掩膜版(Mask)。如同一幢大楼的每一层的图纸。 每个典型的集成电路器件需要经过15-20次光刻 光刻步骤 一、晶圆涂光刻胶： 清洗晶圆，在200?C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。 待晶圆冷却下来，立即涂光刻胶。 正胶：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶 负胶：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 光刻胶对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏，可在黄光下操作。 再烘晶圆再烘，将溶剂蒸发掉，准备曝光 正性胶与负性胶光刻图形的形成 涂光刻胶的方法(见下图)： 光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2000 ?8000转/分钟的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。 光刻步骤二、三、四 二、曝光: 光源可以是可见光,紫外线, X射线和电子束。 光量，时间取决于光刻胶的型号，厚度和成像深度。 三、显影: 晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转，将显影液喷射到晶圆上。显影后，用清洁液喷洗。 四、烘干: 将显影液和清洁液全部蒸发掉。 定义：为获得器件的结构必须把光刻胶的图形转移到光刻胶下面的各层材料上面去。 目的：刻蚀的主要内容就是把经曝光、显影后光刻胶微图形中下层材料的裸露部分去掉，即在下层材料上重现与光刻胶相同的图形。 光刻工艺流程 硅片清洗 预烘及涂增强剂 涂胶 前烘 掩模版对准 曝光 曝光后烘培 显影 后烘及图形检测 刻蚀 刻蚀完成 去胶 台湾AST Cirie-200等离子体刻蚀设备 掺杂 掺杂目的、原理和过程 掺杂的目的是以形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层。是制作各种半导体器件和IC的基本工艺。 经过掺杂，原材料的部分原子被杂质原子代替,材料的导电类型决定于杂质的种类。 掺杂可与外延生长同时进行，也可在其后，例如，双极性硅IC的掺杂过程主要在外延之后，而大多数GaAs及InP器件和IC的掺杂与外延同时进行。 热扩散掺杂 热扩散是最早也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。 施主杂质用P，As，Sb，受主杂质可用B，Al。要减少少数载流子的寿命，也可掺杂少量的金 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行, 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 扩散过程中，温度与时间是两个关键参数。 离子注入法 离子注入技术是20世纪50年代开始研究，70年代进入工业应用阶段的。随着VLSI超精细加工技术的进展，现已成为各种半导体搀杂和注入隔离的主流技术。 离子注入机 离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室等。 离子注入机工作原理 首先把待搀杂物质如B，P，As等离子化， 利用质量分离器(Mass Seperator)取出需要的杂质离子。分离器中有磁体和屏蔽层。由于质量，电量的不同，不需要的离子会被磁场分离，并且被屏蔽层吸收。 通过加速管，离子被加速到一个特定的能级，如10?500keＶ。 通过四重透镜，聚成离子束，在扫描系统的控制下，离子束轰击在注入室中的晶圆上。 在晶圆上没有被遮盖的区域里，离子直接射入衬底材料的晶体中，注入的深度取决于离子的能量。 最后一次偏转(deflect)的作用是把中性分离出去 faraday cup的作用是用来吸收杂散的电子和离子． 注入法的优缺点 优点