薄膜的结构与缺陷要点解析.pptVIP

第四章（补充）　薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 薄膜的结构与缺陷 7. 单晶薄膜 影响外延薄膜的主要因素有几何因素和能量因素 1. 外延温度 Ts／ Tm ＜ 0.15时，薄膜组织为晶带1型的细等轴晶，晶粒尺 寸只有5～20 nm，组织中孔洞较多，组织较为疏松 0.15 ＜ Ts／ Tm ＜ 0.3 时，薄膜组织为晶带T型，其特点是在 细晶粒的包围下出现了部分直径约为50 nm尺寸稍大的晶粒 Ts／ Tm ＝ 0.3 ～0.5时，晶带2型的组织开始出现 0. 5 ＜ Ts／ Tm 以后，薄膜组织变为晶带3型的粗大的等轴晶 组织 第二节　薄膜的缺陷 薄膜的体内晶体缺陷和一般晶体的缺陷相同 薄膜的表面和界面会出现和体缺陷不同的缺陷(如表面点 缺陷) 晶体缺陷是指实际晶体中与理想的点阵结构发生偏差的区域 晶体缺陷的类型： (1) 点缺陷：它在三维空间各方向上尺寸都很小，也称为零维 缺陷如空位、间隙原子和异类原子等 (2) 线缺陷：在两个方向上尺寸很小，也称为一维缺陷，主要 是位错 (3) 面缺陷：它空间一个方向尺寸很小，另外两个方向上尺寸 较大的缺陷，如晶界、相界和表面等 一、点缺陷 1. 点缺陷的类型 (a) 肖特基(Schottky)缺陷 (b) 弗仑克尔(Frenkel)缺陷 (c) 杂质缺陷 2. 薄膜中的点缺陷 当沉积速率很高、基板温度较低时，就可能在薄膜中产生高 浓度的空位缺陷 薄膜中存在原子空位的效果主要表现在晶体的体积和密度 上。一个空位可使晶体体积大约减小二分之一的原子体积 薄膜中空位浓度在平衡浓度以上，所以它的密度比块状小， 而且空位浓度随着时间的增加而减小 在薄膜中点缺陷约占百分之几个原子。在点缺陷中数量最多 的是原子空位 在真空蒸发过程中温度的急剧变化会在薄膜中产生很多点缺 陷 薄膜点缺陷对电阻率产生较大的影响 二、线缺陷(位错) 晶体中的位错类型有刃型位错、螺型位错和混合位错 1. 线缺陷(位错)的类型 位错是薄膜中最普遍存在的缺陷，其密度约为1012～1013/cm2 位错在块状优质晶体中，其密度约为104～106/cm2 位错在发生强烈塑性形变的晶体中，其密度约为1010～1012/cm2 在薄膜中引起位错的原因： (1) 基体引起的位错 如果薄膜和基体之间有晶格失配的位错，则在生长单层的拟 似性结构时就会有位错产生。如果在基体上有位错，那么在 基体上形成的薄膜就会因基体的位错而引起位错 (2) 小岛的聚结 薄膜中产生位错的主要原因都来自小岛的长大和聚结。在多 数的小岛中其结晶方向都是任意的。特别是两个晶体方向稍 有不同的两个小岛相互聚结成长时，就会产生以位错形式小 倾斜角晶粒晶界 三、面缺陷 面缺陷有晶界、相界、表面、堆积层错等 1. 晶粒间界 薄膜中含有许多小晶粒，与块状材料相比，薄膜的晶粒间界面积较大 思考：为什么薄膜材料的电阻率比块体材料的电阻率大？ 晶粒尺寸随沉积速率的变化关系不像上述因素那么明显 当退火热处理在退火温度下沉积的薄膜时，晶粒增大的效果 则不显著 在高于沉积温度下进行退火热处理可以改变晶粒尺寸。退火 温度越高，晶粒尺寸越大。热处