3.9光电式传感器77页.ppt

3.9 光电式传感器 光电式传感器是以光电器件作为转换元件的传感器，可以将光信号转换为电信号。 光电效应 所谓光电效应，是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。 光电传感器的工作原理基于光电效应。 基于外光电效应原理工作的光电器件有光电管和光电倍增管。 光电管是装有光阴极和阳极的真空玻璃管。 光电倍增管除了在玻璃管内安装有光电阴极和阳极之外，还装有一定数量的光电倍增极，其上涂有在电子轰击下能发射更多电子的材料。 图 3-9-11 光敏二极(晶体)管的光谱特性 (2) 伏安特性 图3-9-12（a）为硅光敏二极管的伏安特性，横坐标表示所加的反向偏压。当光照时，反向电流随着光照强度的增大而增大，在不同的照度下，伏安特性曲线几乎平行，所以只要没达到饱和值，它的输出实际上不受偏压大小的影响。 图3-9-12（b）为硅光敏三级管的伏安特性。纵坐标为光电流，横坐标为集电极-发射极电压。从图中可见，由于晶体管的放大作用，在同样照度下，其光电流比相应的二极管大上百倍。 图 3-9-12 硅光敏管的伏安特性 (a) 硅光敏二极管; (b) 硅光敏三级管 图3-9-13 光敏三级管的频率特性 （3） 频率特性 光敏管的频率特性是指光敏管输出的光电流（或相对灵敏度）随频率变化的关系。光敏二极管的频率特性是半导体光电器件中最好的一种，普通光敏二极管频率响应时间达10μs。光敏三级管的频率特性受负载电阻的影响，图3-9-13为光敏三级管频率特性，见书P91图3.74(c)。减小负载电阻可以提高频率响应范围，但输出电压响应也减小。  图 3-9-14 光敏三级管的温度特性 (4) 温度特性 光敏管的温度特性是指光敏管的暗电流及光电流与温度的关系。光敏三级管的温度特性曲线如图3-9-14所示。 从特性曲线可以看出，温度变化对光电流影响很小(图(b))，而对暗电流影响很大(图(a))， 所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 表 3-9-2 2CU型硅光敏二极管的基本参数 表3-9-3 3DU型硅光敏三级管的基本参数 3.9.1.3 光电池 光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用时实质就是电源，电路中有了这种器件就不需要外加电源。  光电池的工作原理是基于“光生伏特效应”。它实质上是一个大面积的PN结，当光照射到PN结的一个面，例如P型面时， 若光子能量大于半导体材料的禁带宽度，那么P型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴， 电子-空穴对从表面向内迅速扩散，在结电场的作用下，最后建立一个与光照强度有关的电动势。 图3-9-15为硅光电池原理图。 光电池与外电路一般有两种连接形式，见书P88图3.71 。 图 3-9-15 硅光电池原理图 (a) 结构示意图； (b) 等效电路 光电池基本特性有以下几种：  (1) 光谱特性 光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。 图3-9-16为硅光电池和硒光电池的光谱特性曲线，见书P90图3.73(c)。从图中可知，不同材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池波长在0.8μm附近，硒光电池在0.5μm附近。硅光电池的光谱响应波长范围为0.4~1.2μm，而硒光电池只能为0.38~0.75μm。可见，硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。 图3-9-16 硅光电池的光谱特性 (2) 光照特性 光电池在不同光照度下， 其光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性，见书P89图3.72(c)。图3-9-17为硅光电池的开路电压和短路电流与光照的关系曲线。从图中看出，短路电流在很大范围内与光照强度呈线性关系，开路电压（即负载电阻RL无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且当照度在2000 lx时就趋于饱和了。因此用光电池作为测量元件时，应把它当作电流源的形式来使用，不宜用作电压源。 图 3-9-17 硅光电池的光照特性 （3） 频率特性 图3-9-18分别给出硅光电池和硒光电池的频率特性，见书 P91图3.74(b)。横坐标表示光的调制频率。由图可见，硅光电池有较好的频率响应。 图3-9-18 硅光电池的频率特性 (4) 温度特性 光电池的温度特性是描述光电池的开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池的仪器或设备的温度漂移，影响到测量精度或控制精度等重要指标， 因此温度特性是光电池的重要特性之一。光电池的温度特性如图3-9-19所示。从图中看出，开路电压随温度升高而下降的速度较快， 而短路电流随温度升高而缓慢增