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幻灯片 1_15842
* 布里奇曼法LaBr3:Ce晶体生长 为什么是LaBr3:Ce 晶体生长的问题 晶体生长工艺 晶体性能 4.55 5.6 3.9 5.1 密度 (g/cm3) 较难 1200 3.0% 120000 SrI2:Eu 很难 30 ? 80000 LuI3:Ce 较难 28 3.2% 58000 LaCl3:Ce 难 30 2.6% 70000 LaBr3:Ce 生长难易 衰减时间 (ns) 能量分辨率(@662keV) 光输出 (Ph/MeV) 为什么是LaBr3:Ce LaBr3极易潮解、氧化 2LaBr3+O2 2LaOBr+2Br2 LaBr3+H2O LaOBr+HCl LaBr3非常容易开裂 (100)严重解理 热膨胀各向异性突出 定向生长 自发成核技术 P63/m a=7.96 c=4.51 晶体生长的问题 a b c 晶体生长工艺 原料预处理 抽真空封装 晶体生长 水、氧含量 1ppm 真空度 ~1pa 温度梯度20~30?C/cm 1英寸LaBr3:Ce单晶生长技术已经成熟 晶体生长成果 晶体生长成果 毛胚晶体 ?38?50mm3 加工晶体 10?10 ?10mm3 *
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