Al和氧空位对ZnOCo稀磁半导体磁性质的影响.pdfVIP

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Al和氧空位对ZnOCo稀磁半导体磁性质的影响.pdf

( ) 40 5 福州大学学报 自然科学版 Vol. 40 No. 5 第 卷第 期 2012 10 Journal of Fuzhou University (Natural Science Edition) Oct. 2012 年 月 URL :http :/ / www. cnki. net / kcms / detail / 35 . 1117 . N.. 1038. 003. html 文章编号:1000 - 2243 (2012)05 - 0609 - 06 Al 和氧空位对ZnO :Co 稀磁半导体磁性质的影响 1 2 , 翁臻臻 黄志高 (1. , 350108 ;2 . , 350007) 福州大学物理与信息工程学院 福建福州 福建师范大学物理系 福建福州 : , Al Co ZnO 摘要 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法 研究了 共掺杂和氧空位缺陷对 掺杂 磁性质 , Al Co , 的影响 发现 原子共掺杂引入的自由电子载流子会稳定体系的反铁磁性从而减弱 原子间的铁磁性交换 . 而氧空位缺陷束缚的电子载流子对提高体系的铁磁性具有积极的作用 氧空位引入的电子载流子部分转移到 Co Zn , Co , , Co 原子和近邻 原子 形成以电子载流子为媒介的 原子间的耦合作用 稳定体系的铁磁态 增强 原子 间的交换耦合作用. :ZnO ; ; ; 关键词 稀磁半导体 第一性原理 磁特性 中图分类号:O474 文献标识码:A Effect of Al and oxygen vacancy defect on the magnetic properties of Co - doped ZnO WENG Zhen - zhen 1 ,HUANG Zhi - gao2 (1. College of Physics and Information Engineering ,Fuzhou University ,Fuzhou ,Fujian 350108 ,China ; 2 . Department of Physics ,Fujian Normal University ,Fuzhou ,Fujian 350007 ,China) Abstract :The influence of Al and oxygen vacancy on the magnetism of Co - doped

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