C掺杂ZnO稀磁半导体的磁特性研究.pdfVIP

第４３卷 第６期 福州大学学报（自然科学版） Ｖｏｌ．４３Ｎｏ．６ ２０１５年１２月 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＦｕｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） Ｄｅｃ．２０１５ ＤＯＩ：１０．７６３１／ｉｓｓｎ．１０００－２２４３．２０１５．０６．０７７８ 文章编号：１０００－２２４３（２０１５）０６－０７７８－０５ Ｃ掺杂ＺｎＯ稀磁半导体的磁特性研究 翁臻臻 （福州大学物理与信息工程学院，福建 福州　３５０１１６） 摘要：利用基于密度泛函理论（ＤＦＴ）的第一性原理计算方法，研究 Ｃ掺杂ＺｎＯ稀磁半导体的磁性质．发现 ＺｎＯ∶Ｃ体系的磁性来源于Ｃ－ｐ和Ｚｎ－ｄ轨道之间的杂化，铁磁性产生的机制是以巡游电子为媒介的铁磁交 换作用．富Ｏ环境下制备ＺｎＯ∶Ｃ样品能够更好地在室温下得到稳定的铁磁有序． 关键词：氧化锌；稀磁半导体；第一性原理；磁特性 中图分类号：Ｏ４７４　 文献标识码：Ａ ＳｔｕｄｙｏｎｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＣ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ ＷＥＮＧＺｈｅｎｚｈｅｎ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＦｕｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｆｕｚｈｏｕ，Ｆｕｊｉａｎ３５０１１６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅｍａｇｎｅｔｉｓｍｏｆＣ－ｄｏｐｅｄＺｎＯｈａｓｂｅｅｎｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄｂｙｔｈｅｆｉｒｓｔ－ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎｓ ｂａｓｅｄｏｎｄｅｎｓｉｔｙｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｔｈｅｏｒｙ（ＤＦＴ）．ＩｔｉｓｆｏｕｎｄｔｈｅｍａｇｎｅｔｉｓｍｏｆＣ－ｄｏｐｅｄＺｎＯｉｓｄｅｒｉｖｅｄｆｒｏｍ ｔｈｅｈｙｂｒｉｄｉｚａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅＣ－ｐａｎｄＺｎ－ｄｏｒｂｉｔ，ａｎｄｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎｍｅｄｉａｔｅｄｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｓｐｒｏ ｐｏｓｅｄｆｏｒｔｈｅｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｓｍｉｎｔｈｅＣ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ．ＴｈｅｓａｍｐｌｅｓｈｏｕｌｄｂｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｕｎｄｅｒＯ－ｒｉｃｈ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｔｏｈａｖｅａｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃｏｒｄｅｒｉｎｇ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＺｎＯ；ｄｉｌｕｔｅｄｍａｇｎｅｔｉｃｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ｆｉｒｓｔ－ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ；ｍａｇｎｅｔｉｃｃｈａｒａｃｔｅｒ ０　引言 ［１］ ［２］ 自从Ｄｉｅｔｌ 和Ｕｅｄａ 等预测了ＺｎＯ基稀磁半导体（ＤＭＳ）在室温下具有稳定的铁磁性，有关利用各 种磁性过渡金属原子掺杂ＺｎＯ以获得稀磁半导体的研究报道层出不穷．实际上，已经有许多工作小组在 ［３－４］ ［５－７］ ［８－９］ Ｍｎ ，Ｃｏ ，Ｎｉ 掺杂ＺｎＯ体系中成功地观察到了室温铁磁性．但是其磁性的起源却一直是各研 究小组争议的热点．从实验的观点来看，实验中有可能会产生过渡金属单质团簇或者氧化物第二相，而大 部分过渡金属及其氧化物本身已具有铁磁性，从而会使研究工作者将其误解为是ＤＭＳ材料的磁性来源． 为了避免这一问题，越来越多的研究者倾向于考虑采用非磁性原子进行掺杂来研究ＤＭＳ材料的磁性．已 有一些实验测量得到在ＺｎＯ体系中掺杂一定浓度的Ｃ原子，其居里温度可超过３００Ｋ［１０－１２］．并且理论研 究表明Ｃ掺杂ＺｎＯ构建ＤＭＳ材料得到的稳定铁磁性是由于Ｃ替代Ｏ导致形成的［１０，１３］，但是其磁性产生 ［１０］ 的机制存在分歧．其中，Ｐａｎ等 报道在Ｃ掺杂ＺｎＯ薄膜中铁磁耦合机制产生的原因是Ｏ－２ｐ和Ｃ－２ｐ 之间的ｐ－ｐ杂化形成以空穴载流子为媒介的Ｃ原子间的间接相互作用，并且空穴载流子会增强体系的铁 ［１４］ ［１５］ 磁性．然而，Ｙｅ 和Ｋｉｍ 等认为以巡游电子为媒介的铁磁耦合机制更适合用来解释Ｃ掺杂ＺｎＯ体系中 铁磁性的产生．本研究利用基于密度泛函理论（ＤＦＴ）的第一性原理计算方法，从理论