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A4模拟对讲机单元电路模块化-锁相环路部分(draft)分析报告.doc

A4模拟对讲机单元电路模块化-锁相环路部分(draft)分析报告.doc

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模拟对讲机单元电路模块化——锁相环路部分 前言 锁相环路部分是整个模拟对讲机的心脏部分,它主要包括三个子电路单元,即,压控振荡器(VCO)、环路滤波器(LF)和频率合成器(FS)。锁相环路的性能指标主要有相位噪声、锁定时间等,锁相环路的各项性能指标对接收机和发射机的性能指标都有较大影响,所以设计时要充分考虑可能存在的影响锁相环路性能指标的各项因素。以下就各个单元电路的设计和应用做一简要说明。 压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator) 压控振荡器是产生射频信号的电路单元,它是利用正反馈原理产生振荡的,当控制电压改变时其振荡频率也随之改变。压控振荡器对发射机而言是提供射频信号源,对接收机而言是提供用于混频的本振信号。压控振荡器分别工作在UHF频段和VHF频段时有不同的电路形式,以下分别加以说明。 1.1 UHF频段压控振荡器 UHF频段的压控振荡器的振荡管可以采用共射(或共源)配置,也可以采用共基(或共栅)配置,不同的形式可以应用于不同的场合,以下分别对两种形式的电路加以说明。 共射配置的压控振荡器 电路形式如图1-1所示: 图1-1 共射配置的压控振荡器的电路形式 ADS仿真条件设置和仿真结果: a. ADS仿真条件设置 相位噪声、谐波和振荡范围的仿真结果 图1-2 共射配置的压控振荡器ADS仿真条件设置和仿真结果 设计说明 根据模拟电子线路教材的分析,共射配置的放大器具有较大的功率放大倍数,因而该形式的振荡器也具有较高的输出电平,可以应用在需要较大输出功率的场合,比如发射机的振荡器;图1-1中,由Q8及其外围电路组成的正反馈放大电路是振荡电路,由Q9组成的放大电路是缓冲放大电路,它既提供一定的功率放大倍数,又在振荡电路与后级负载之间起缓冲、隔离的作用;UHF频段的VCO为了获得较宽的振荡范围,其振荡回路采用带阻加低通的形式,其中,L40与C114、C117、C120、D14和D15的等效电容形成具有带阻特性的串联谐振回路,C113、C115和C116的等效电容形成具有低通特性的到地电容;L43为D15提供到地的直流零电位,C106采用低值的电容是为了提高与后级的隔离度,C119的加入是为了提高对谐波的抑制能力;另外,由于振荡管本身的噪声会影响振荡器的相噪指标,所以振荡管应选用低噪声系数的管子。 定性调试说明 反馈系数的调整 C115与C116的比值即是反馈系数,由于过高的增益和反馈系数会导致VCO的间歇振荡,而共射电路有较高的功率增益,所以反馈系数不能太大,一般可以选在1/2左右 压控灵敏度的调整 C114的大小决定了变容管的接入系数,从而也能改变压控灵敏度,另外,变容管本身的特性曲线也会影响压控灵敏度;过高的压控灵敏度会引入较高的相位噪声,所以压控灵敏度也不宜过高,一般在10 — 20MHz / V之间 谐波抑制比的调整 放大器非线性失真越大其谐波的能量就越大,所以振荡管的工作点不能设置得太高,一般应比器件手册推荐的工作点略低;另外,C119到地的连接也形成低通特性,增大C119的容值也能使谐波衰减变大 电性能指标范围说明 1. 振荡幅度 -15 —— -5dBm 2. 相位噪声 ≤ -105dBc/Hz @10kHz 3. 压控灵敏度 ≤ 20MHz/V 4. 谐波抑制 ≤ -15dBc 共基配置的压控振荡器 电路形式如图1-3所示: 图1-3 共基配置的压控振荡器的电路形式 ADS仿真条件设置和仿真结果: a. ADS仿真条件设置 b. 相位噪声、谐波和振荡范围仿真结果 图1-4 共基配置的压控振荡器ADS仿真条件设置和仿真结果 设计说明 根据模拟电子线路教材的分析,共基配置的放大器虽然功率增益较小,但其高频性能和稳定性都优于共射放大器;共基配置的压控振荡器除振荡管的连接与共射电路不同外,其余部分大致相同,详细的设计说明请参见上一节。 定性调试说明 1. 反馈系数的调整 C115与C116的比值即是反馈系数,由于共基放大电路的功率增益较低,所以反馈系数应该比共射电路大,一般可以选在1/2 — 1之间 2. 压控灵敏度和谐波抑制比的调整与共射振荡器相同,此处不再赘述 电性能指标范围说明 1. 振荡幅度 -20 —— -5dBm 2. 相位噪声 ≤ -105dBc/Hz @10kHz 3. 压控灵敏度 ≤ 20MHz/V 4. 谐波抑制 ≤ -15dBc VHF频段压控振

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