变压器介损试验摘要.pptVIP

变压器绕组连同套管的介质损耗因数tgnδ试验 张金伟 介损试验 (一)介损（tgnδ） tgnδ值称为介质损耗因素，以介质损失角的正切值tgnδ表示的。介损试验是绝缘介质在交流电场作用下的能量损失，在一定电压和频率下，反映绝缘介质内单位体积中能量损耗的大小，它与介质体积尺寸大小无关，数值上为电介质中的电流有功分量与无功分量的比值，是一个无量纲的数。 电介质的并联等值电路与相量图 ①电介质电导引起的损耗 在电场作用下电介质电导（又称漏导）产生的泄漏电流会造成能量损耗， ②在交流电压作用下，电介质由于周期性的极化过程，带电质点需要克服极化分子间的内摩擦力而造成能量损耗，极化损耗的大小与电介质的性能、结构、温度、交流电压频率有关。 ③局部放电引起的损耗 (二)介质损失角正切主要能发现哪些缺陷？ 测量电气设备绝缘的介质损失角正切值tgnδ、是判断绝缘性能的有效方法，主要用于检查电气设备整体是否受潮、绝缘老化、油质劣化、绝缘上附着油泥及严重局部缺陷等；以及小体积设备绝缘的某些局部缺陷。（在一般情况下，介质损耗tgnδ试验主要反映设备绝缘的整体缺陷，而对局部缺陷反映不灵敏）。 测量介质损耗因数，通常不能发现的设备绝缘缺陷是大体积试品的局部缺陷。 (三)Q/CSG 114002-2011电力设备预防性试验规程规定： ①tgnδ值与出厂试验值或历年的数值不应有显著变化（增量一般不大于30%） ②20℃时不大于下列数值：500kV：0.6% 110 kV-220kV:0.8% 35kV: 1.5% （同一变压器各绕组tgnδ的要求值） ③当变压器电容型套管末屏对地绝阻低于1000MΩ时，应测量末屏对地介损，加压2kV (四)试验方法 正接线及反接线 ①测量变压器介损要采用反接法 把各绕组的所有端子用导线短接，被试绕组（引出者）应短接一起加压，其它绕组短接后接地或屏蔽，铁心和夹件的接地端子与油箱相连（接地）反接线。该接线适用于被试品—端接地。测量时电桥处于高电位，试验电压受电桥绝缘水平限制，高压端对地杂散电容不易消除，抗干扰性差。例测量变压器介损要采用反接法 变压器本体、电流互感器末屏、电流互感器本体 测量变压器绕组连同套管的tgδ试验电压可为10kV 反接线、内标准电容、内高压（常规反接线） ②正接线。试品两端对地绝缘．电桥处于低电位，试验电压不受电桥绝缘水平限制，易于排除高压端对地杂散电流对实际测量结果的影响，抗干扰性强。 测量有未屏引出线电容式套管可采用正接法。 变压器的电容型套管、耦合电容器 电容式电压互感器 测量的tgnδ试验电压可为10kV。 正接线、内标准电容、内高压（常规正接线）： (五)操作时注意事项： ①按设备接地与否选择接线（正接线或反接线） ②仔细阅读介质损耗测试仪 AI-6000型说明书，按说明书的要求及控制台面上接线图接线 ③升压速度不应太快。升压中若发现异常现象，应马上降压断开电源，并查明原因。 ④试验完毕，降压、断开电源后，才能更改接线。 AI-6000E型高压输出面板图 AI-6000E型上面板图 仪器结构 (六）影响变压器介损测量的一些因素 影响介质损耗的因素有下面几种 1.温度的影响： 应尽量选择在相近温度条件下进行绝缘tgnδ试验, 温度对测量tgnδ值影响较大，在绝大多数情况下，tgnδ值随温度升高而增高，tgnδ值随温度的变化与试品的绝缘结构有关。这是由于温度升高，介质中的离子增多，电导电流增大，极化过程中分子间阻力增加，从而使介质损耗增加。 2.湿度的影响： 湿度增大使被试品表面泄漏电流增大，介质损失因数测量结果常受表面泄漏和外界条件（如干扰电场和大气条件）的影响，影响测量准确度，应采取措施减少和消除这种影响。 3.电场干扰 a.提高试验电压，试验电压提高，通过试品的电容电流增大，信噪比提高，干扰电流对δ角的影响相对减小，这种方法适用于对弱干扰信号的消除； b.尽量采用正接线 ； c.屏蔽法： 在被试品上加装屏蔽，使干扰电流经屏蔽流走，不经过电桥桥臂 d.选相、倒相法； e.移相法； f.变频法。 4.磁场干扰 当电桥靠近电抗器、阻波器等漏磁通较大的设备时，会受到磁场干扰。 将电桥移到磁场干扰以外或采取其它频率测量即异频方法测量。 5.试验引线设置不当。 6.被试品表面（脏污、受潮）泄漏的影响。 7.被试品周围空气的干扰。 8.周围杂物等影响。 9.局部缺陷的影响。 10.周围的杂散电容太大,而被试品的自身电容量相对小。 11.在潮湿大气条件下瓷套表面凝结水膜。