集成电路原理第六章讲义.ppt

如图6-23（a）所示，在p、n管栅极与Vin之间分别接入适当值的电压VTR，可使电路的性能得到改善。 其实用电路如图6-23（b），分析工作过程如下： Vin增加，M1电流增加，通过M4、M7镜像到M8，使其电流增大；同时，M2电流减小（若工作于乙类，则关断），镜像到M6的电流减小（或关断），负载电流主要通过M8，即M8为负载电流的沉。 Vin减小，则情况相反。具体电路工作在甲乙类还是乙类状态，由VGG3、VGG4决定。 （3）甲乙类/乙类源跟随放大器 （a）原理图 （b）实用电路 图6-24 甲乙类/乙类源跟随放大器 电路原理图结构如图6-24（a）所示，注意M1为PMOS，M2为NMOS。 图6-24（b）为其实际电路，调整M6的栅偏VGG6和M4、M5器件尺寸，实现M1、M2的VTR偏置，使其工作于甲乙类或乙类。 工作过程与推挽反相放大器类似。 输出幅度受到限制： 6.3 CMOS集成运算放大器 6.3.1 集成运放设计的边界条件和主要指标 1、边界条件 ? 工艺要求（VT、K、COX??） ? 电源电压和范围 电源电流和范围 ? 工作温度和范围 C——商业级：0 ? 70 ℃ I ——工业级：-20?85 ℃ E——扩展工业级：-40?