第二_三_章_集成电路中的元器件讲义.pptVIP

可以画出低频小信号等效电路 加上电容可以得到高频小信号等效电路 模拟集成电子学 集成电路中的器件模型 4. MOS管的亚阈值区特性 应用：（1）低功耗时 （2）利用指数关系 （3）低速电路 模拟集成电子学 三.MOS工艺中两个重要问题 a）ESD（Electro-Static-Discharge） b）Latch-up effect 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 a）集成电路中管脚的静电保护电路 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 b）闩锁效应 闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 = = 集成电路中的器件模型 模拟集成电子学 为避免以上情形出现： 1.器件放置远。 2.采用深well。 3.加保护环。 4.阱和衬底浓度高，加大基区复合。 5.Silicon on Insulator(SOI) / Silicon on Sapphire(SOS) 工艺。 集成电路中的器件模型 SOI(Silicon-On-Insulator: 绝缘衬底上的硅)技术 * 不同材料的方块电阻 (针对0.25umCMOS工艺) 材料 方块电阻(Ω/□)