版图失效机制讲义.pptVIP

单个衬底电流注入源和单个衬底接触 保护措施 尽量减少向衬底注入电流； 增大衬底接触面积，以减少纵向电阻； 4.4.2少子注入 隔离结依赖反偏来阻挡电流流动，耗尽区建立电场是用来排斥多子，但是却不能排斥少子，如果所有隔离结都正偏，就会想隔离区注入少子。 4.4.2少子注入 诱发闩锁效应。它是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。 4.4.2少子注入 诱发闩锁效应有两种： 一种是：NMOS管的源极电位被拉到地电位一下，少子将注入到衬底里面，QN被开启，接着QP也开启，闩锁效应被激发。 另一种是：PMOS管的源极电位被拉到N阱以上；少子将注入到N阱里面，QP被开启，接着QN也开启，闩锁效应被激发。 保护措施（衬底注入） 消除引起问起的正偏结； 增大器件间距； 增大掺杂浓度； 提供替代的集电极来消除少子。 保护措施（衬底注入） 通常采用做隔离环的方式吸收少子； 一、在P型区收集少子电子的收集电子保护环； 二、在N型区收集少子空穴的收集空穴保护环。 T1 T2 T3 保护环所屏蔽的 敏感模拟电路 代表性的两种收集电子保护环的剖面图 保护措施（交叉注入） 少子保护环可以防止一个器件注入空穴干扰同一隔离岛或阱中的其他器件，这种干扰成为交叉注入。 同一隔离岛内的两个或多个晶体管彼此之间可能受到影响。 保护措施（交叉注入） P型棒 保护措施（交叉注入） N型棒 4.