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集成电路原理 集成电路概论 集成电路（Integrated Circuit，IC） 芯片（Chip） 硅片（Wafer） 集成电路类型： 功能：数字集成电路、模拟集成电路 结构：单极集成电路、双极集成电路 集成度：SSI, MSI,LSI,VLSI,ULSI,GSI 集成电路的发展 1.材料及器件 1875年 半导体硒 光电导 1906年 提出硅无线电检波 1935年 硅检波二极管 1947年 点接触、结型晶体管 存在的主要问题 电隔离 1959年 Kurt Lehovec提出PN结隔离 Robert Nocye提出平面工艺及氧化层上制作互联线的方法 奠定了半导体集成电路的技术基础 集成度的提高 SSI（100, 100）, MSI（ 1000, 500 ），LSI （ 10E5,2000 ）, VLSI（ 10E7,2000 ）, ULSI （10E9）,GSI （ 10E9 ） 摩尔定律：集成度18个月提高两倍，特征尺寸减少为 集成电路工艺方法 1 薄膜制备技术 1.1 外延薄膜 汽相外延VPE （Vapor phase epitaxy）： 1000℃ 还原反应： SiCl4+2H2