TFTLCD制程(简体).pptVIP

115~200度C 4小时,一 次可压18~20片压完后 ,CF和TFT板之间的距离变成约4.85μm 二厂使用真空热压法 气囊热压 大片组合之基板 热压机hot pressor 压力表 4.85μm 切割裂片 13.3“ 400mm 320mm 1.8“ 2.5” 4“ 6.1”~6.8“ 第1代面板:长400mm,宽320mm 面板范围 节余部份, 抛弃不用 720mm 610mm 13.3“~14.1” 15“~17” 19“ 22“~32” 面板范围 节余部份, 抛弃不用 第3.5代面板:长720mm,宽610mm 液晶注入示意图 1.抽真空 2.封閉CHAMBER, 將液晶皿上昇,使 注入口達到液面 之下 液晶 液晶 利用大气压力 及毛细现象 将液晶灌入 cell內 3.破真空 * AU Optronics Corp. 谢经国 熊明德 1999年07月28日 TFT-LCD 制程简介 联友 光电 FAB-1 六 道 光 罩 PANEL LC LCM FAB-2 五 道 光 罩 ARRAY CELL MODULE 一廠 二廠 投片,清洗,薄膜,黄光,蚀刻,测试 清洗,配向,框胶,热压,切裂,注入 磨洗贴,FPC,COG,组装,烧机,F/I 投片,清洗,薄膜,黄光,蚀刻,测试 清洗,配向,框胶,热压,切裂,注入 磨洗贴 FPC,COG,组装,烧机,F/I 什么是TFT-LCD ? TFT----薄膜电晶体 Thin Film Transistor LCD----液晶显示器 Liquid Crystal Display 上偏光板 下偏光板 保护膜 玻璃基板 顏色区 黑色框罩 框胶区 电晶体 液晶 ITO共用极 ITO显示电极 背光灯管 反射板 棱镜板 光扩散板 印刷电路板 驱动IC 驱动IC 异方性导电膜 补偿电容 间隙粒子 TAB 导光板 ITO 画素电极 液晶分子 CRYSTAL CF彩色 滤光膜 GATE 閘 極 SOURCE 源 极 DRAIN 汲 极 B.L 背光 一个电晶体(显示单位) 动作示意图 偏光板作用及液晶旋光性介紹 一個電晶體顯示 電路示意圖 Data driver Scan driver Array Thin-Film Transistor Cell Liquid Crystal Module Array:电晶体 矩形阵列 Cell:显示单元体 Module:产品模组 CELL MODULE …. + ARRAY + + + 外購 一廠:320*400(mm) 二廠:610*720(mm) cell cell cell cell cell cell cell 镀膜(sputter,cvd) TFT循环制程图解 上光阻(coater) 光罩(reticle) 显影(developer) 显影 液 对准,曝光(stepper) 蝕刻(etch) 去光阻液 stripper 去光阻 酸, 气体 镀 下 一 层 膜 TFT循环制程图解1 上光阻(coating) 镀第一层膜 空白玻璃 酸A或 气体A 光罩 对准,曝光(stepping) 显影 液 显影(developing) 蚀刻(etching) TFT循环制程图解2 显 影 去光 阻液A 去光阻(striping) 镀第二层膜 上光阻 对准,曝光 光罩 显影 液 酸B或 气体B 蚀刻 TFT循环制程图解3 去光 阻液B 光阻剥离 镀第三层膜, 请依之前所 示范的方法 举一反三,自 行模拟想像 Cr 1.Gate闸极 SIN 2.绝缘层 Via 3.Via ITO 4.画素电极ITO Al/Cr 5.源极/汲极(SOURCE/DRAIN) Passivation 6.护层Passivation TI/AL/TI S-I-N TI/AL/TI PASSIVATION 1.镀上钛铝钛 合金(GATE) 厚度 800/1800/1000A 2.S : SiNx (氮硅化合物,绝缘层) I : a-Si (非结晶硅,通道层) N : N+ (高浓度磷的硅)降低界面电位差,使 成为欧姆接触(Omic contact) 3.镀上钛铝钛合金(source,drain) 厚度 800/1800/1000A 4.镀上 5.镀上ITO(铟锡氧化物,透明画素电极 ) SiNx 保护层(把金属部份盖住),並且做 VIA层(使电气信号导入panel) ITO 薄膜Thin-Film (不含VIA层) 黄光区 Photo 清洗